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J-GLOBAL ID：202202215849470709   整理番号：22A0687609

エッジ非対称二重水素化によるジグザグSiCナノリボンヘテロ接合に基づく多機能スピントロニクスデバイス【JST・京大機械翻訳】

Multifunctional spintronic device based on zigzag SiC nanoribbon heterojunction via edge asymmetric dual-hydrogenation

著者 (7件)： Cui Xing-Qian (Hunan Provincial Key Laboratory of Flexible Electronic Materials Genome Engineering, School of Physics and Electronic Science, Changsha University of Science and Technology, Changsha, 410114, China) ,  Li Jia-Jin (Hunan Provincial Key Laboratory of Flexible Electronic Materials Genome Engineering, School of Physics and Electronic Science, Changsha University of Science and Technology, Changsha, 410114, China) ,  Liu Qian (Hunan Provincial Key Laboratory of Flexible Electronic Materials Genome Engineering, School of Physics and Electronic Science, Changsha University of Science and Technology, Changsha, 410114, China) ,  Wu Dan (Hunan Provincial Key Laboratory of Flexible Electronic Materials Genome Engineering, School of Physics and Electronic Science, Changsha University of Science and Technology, Changsha, 410114, China) ,  Xie Hai-Qing (Hunan Provincial Key Laboratory of Flexible Electronic Materials Genome Engineering, School of Physics and Electronic Science, Changsha University of Science and Technology, Changsha, 410114, China) ,  Fan Zhi-Qiang (Hunan Provincial Key Laboratory of Flexible Electronic Materials Genome Engineering, School of Physics and Electronic Science, Changsha University of Science and Technology, Changsha, 410114, China) ,  Zhang Zhen-Hua (Hunan Provincial Key Laboratory of Flexible Electronic Materials Genome Engineering, School of Physics and Electronic Science, Changsha University of Science and Technology, Changsha, 410114, China)
資料名： Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures  (Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures)
巻： 138  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1066A  ISSN： 1386-9477  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エッジ非対称二重水素化によるジグザグSiCナノリボン(zSiCNR)ヘテロ接合のスピン分解輸送特性を調べることにより,多機能スピントロニクスデバイスを得る方法を提案した。スピン分解バンド構造は,エッジCまたはSi原子上の二重水素化が,強磁性場の存在下で,エッジモノ水素化から半導体への元のzSiCNRの初期金属性を変えることを示した。zSiCNRヘテロ接合のスピン分解電流-電圧特性は,平行磁場の下で同じ整流方向にスピン電流整流を示した。この接合のアップスピン整流比は-0.5Vで1013に近く,これは反平行磁場で誘起された以前の接合の整流比よりはるかに大きい。また,zSiCNRヘテロ接合は,逆平行磁場下の正および負のバイアス領域で100%スピンフィルタリング効率で完全なスピンフィルタリング挙動を示す。さらに興味深いことに,磁気抵抗は0.5Vで5000%の巨大磁気抵抗比を有するzSiCNRヘテロ接合における外部磁場を操作することにより達成される。したがって,エッジ非対称二重水素化によるzSiCNRヘテロ接合は,将来のスピントロニクスの分野で広い応用展望を持つ多機能スピントロニクスデバイスに設計できる。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  強磁性 ,  磁気抵抗 ,  バンド構造 ,  半導体 ,  電流電圧特性 ,  *水素化 ,  *炭化ケイ素 ,  *非対称性 ,  *重水素化 ,  *スピン ,  *リボン結晶 ,  整流 ,  密度汎関数法 ,  *ナノ構造 ,  *スピントロニクス
準シソーラス用語： *ナノリボン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ジグザグSiCナノリボン ,  非対称二重水素化 ,  スピン電流整流 ,  巨大磁気抵抗 ,  密度汎関数理論

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (9件)： エッジ ,  非対称 ,  重水素化 ,  ジグザグ ,  SiC ,  ナノリボン ,  ヘテロ接合 ,  多機能 ,  スピントロニクスデバイス