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J-GLOBAL ID:202202215944528799   整理番号:22A0683131

トンネル磁気抵抗センサにおけるMgO薄膜の水和挙動に及ぼすアニーリング雰囲気の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of annealing atmosphere on hydration behavior of MgO thin film in tunneling magnetoresistance sensor
著者 (8件):
資料名:
巻: 48  号:ページ: 6966-6970  発行年: 2022年 
JST資料番号: H0705A  ISSN: 0272-8842  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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酸化マグネシウム(MgO)薄膜はハードディスクドライブ(HDD)における読取/書込センサヘッドにおける磁気遮蔽としてよく知られている。製造室はHDD製造プロセスで湿度を約50%RHに調節し,MgO膜による水和反応を開始する。本研究では,MgO薄膜を種々のガス(Ar,N_2,および空気)下で450°Cで熱処理し,制御された湿度に貯蔵し,水酸化物(Mg(OH)_2)の生成を理解し推定した。X線光電子分光法(XPS),原子間力顕微鏡(AFM)および集束イオンビーム走査型電子顕微鏡(FIB-SEM)を用いて,MgO膜の化学反応,表面形態および厚さを推定した。Ar,N_2および空気アニールした膜について,水和層形成は,それぞれ28%,42%および47%増加した。さらに,MgO膜の厚さは,異なるアニーリング条件によって異なって変化し,それが水和反応に比例することを見出した。本研究の結果は,HDD製造の読取/書込みセンサヘッドのより良い最適化プロセスの推定に役立つであろう。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (3件):
分類
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耐火物  ,  セラミック・磁器の性質  ,  酸化物薄膜 

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