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J-GLOBAL ID：202202216077189341   整理番号：22A0553305

発光ダイオードの等価効率を有する溶液処理量子ドット発光トランジスタ【JST・京大機械翻訳】

Solution-Processed Quantum-Dots Light-Emitting Transistors With Equivalent Efficiency of Light-Emitting Diodes

著者 (5件)： He Penghui (Key Laboratory for Micro/Nano Optoelectronic Devices of Ministry of Education and International Science and Technology Innovation Cooperation Base for Advanced Display Technologies of Hunan Province, School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha, China) ,  Lan Linfeng (State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou, China) ,  Duan Xinpei (Key Laboratory for Micro/Nano Optoelectronic Devices of Ministry of Education and International Science and Technology Innovation Cooperation Base for Advanced Display Technologies of Hunan Province, School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha, China) ,  Liu Xingqiang (Key Laboratory for Micro/Nano Optoelectronic Devices of Ministry of Education and International Science and Technology Innovation Cooperation Base for Advanced Display Technologies of Hunan Province, School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha, China) ,  Liao Lei (Key Laboratory for Micro/Nano Optoelectronic Devices of Ministry of Education and International Science and Technology Innovation Cooperation Base for Advanced Display Technologies of Hunan Province, School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha, China)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 69  号： 2  ページ： 521-524  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 発光トランジスタ(LET)は単一デバイスにおけるスイッチングとエレクトロルミネセンス(EL)の能力を結合できる。ここでは,Sc:In_2O_3/ZnOヘテロ接合半導体チャネルとポリ(9-ビニルカルバゾール)(PVK)正孔輸送層を有する溶液処理非対称量子ドットハイブリッドLET(QD-HLETs)を実証し,移動度を高めるだけでなく,電子と正孔の注入をバランスさせた。赤色QD-HLETはゲート電位により顕著な電気的および光学的変調を示し,電界効果移動度は2.7cm2V-1s-1で,最大輝度は129000cd/m2であった。そして,低いロールオフ(EQE)を有する18.5%のピーク外部量子効率(EQE)は,100cd/m2で3300h以上の動作寿命を得た。さらに,Sc:In_2O_3とZnOからのキャリアの注入をSc:In_2O_3の厚さを調節することによって最適化した。それは,LETの性能を著しく改善し,デバイス物理に対するこれらの未解決問題に対処する代替アプローチを提供する。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,  エレクトロルミネセンス ,  *発光ダイオード ,  最適化 ,  正孔 ,  半導体 ,  輝度 ,  酸化亜鉛 ,  非対称性 ,  *量子ドット
準シソーラス用語： ロールオフ ,  外部量子効率 ,  *発光トランジスタ ,  正孔輸送層 ,  *溶液処理 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 発光ダイオード ,  等価 ,  溶液処理 ,  量子ドット ,  発光トランジスタ