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J-GLOBAL ID：202202216102470317   整理番号：22A0630373

強誘電体負性容量支援相転移電界効果トランジスタ【JST・京大機械翻訳】

Ferroelectric Negative-Capacitance-Assisted Phase-Transition Field-Effect Transistor

著者 (4件)： Yadav Sameer (Electronics and Communication Engineering Department, Nano-Electronics and VLSI Laboratory, Indian Institute of Information Technology, Design and Manufacturing, Jabalpur, India) ,  Upadhyay Pranshoo (Electronics and Communication Engineering Department, Nano-Electronics and VLSI Laboratory, Indian Institute of Information Technology, Design and Manufacturing, Jabalpur, India) ,  Awadhiya Bhaskar (Rajeev Gandhi Memorial College of Engineering and Technology, Nandyala, Andhra Pradesh, India) ,  Kondekar Pravin N. (Electronics and Communication Engineering Department, Nano-Electronics and VLSI Laboratory, Indian Institute of Information Technology, Design and Manufacturing, Jabalpur, India)
資料名： IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control  (IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control)
巻： 69  号： 2  ページ： 863-869  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0369A  ISSN： 0885-3010  CODEN： ITUCER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 特に負容量ベースおよび相転移ベースデバイスにおいて,新しい急勾配デバイスの分野で大きな研究が行われている。本論文は,ハイブリッドデバイス,負容量支援相転移FinFET(NC-PT-FinFET)に及ぼす強誘電体(FE)と相転移材料(PTM)の作用を研究した。この統一作用から生じるいくつかのユニークな現象に遭遇し,これらの観察に基づく有効な議論を提供する。微分利得と相互コンダクタンスの顕著な増強,ドレインチャネル結合に対するPTMの影響におけるユニークな変化,FE厚さ(t_fe)によるPTMを通したヒステリシスの同調性,および両方の因子の低下による超低サブ閾値勾配(SS)は,NC-PT-FinFETの主要な結果のいくつかである。数学的表現と物理的解釈の助けを借りて,あらゆるデバイス性能パラメータで観察される興味深い特徴において,FEとPTMの個々の役割を理解することに焦点を当てた。このハイブリッドデバイスに存在する様々な調整可能なパラメータは,ディジタルおよびメモリ応用におけるその適用性を広げる。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 記憶装置 ,  *強誘電体 ,  *相転移 ,  ヒステリシス ,  *FET【トランジスタ】 ,  同時性 ,  適応性 ,  ディジタル方式 ,  パラメータ ,  相互コンダクタンス
準シソーラス用語： サブ閾値 ,  FinFET ,  急勾配 ,  相変化材料 ,  *ネガティブキャパシタンス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 強誘電体 ,  負性容量 ,  支援 ,  相転移 ,  電界効果トランジスタ