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J-GLOBAL ID：202202216149744318   整理番号：22A0706440

歪んだSn_1-xIn_xTe薄膜における共存する弱い局在と超伝導ゆらぎの観測【JST・京大機械翻訳】

Observation of Coexisting Weak Localization and Superconducting Fluctuations in Strained Sn_1-xIn_xTe Thin Films

著者 (15件)： Wang Jiashu (Department of Physics, University of Notre Dame, Indiana, United States) ,  Powers William (Department of Physics, University of Notre Dame, Indiana, United States) ,  Zhang Zhan (X-ray Science Division, Advanced Photon Source, Argonne National Lab, Illinois, United States) ,  Smith Michael (Department of Physics, University of Notre Dame, Indiana, United States) ,  McIntosh Bradlee J. (Department of Physics, University of Notre Dame, Indiana, United States) ,  Bac Seul Ki (Department of Physics, University of Notre Dame, Indiana, United States) ,  Riney Logan (Department of Physics, University of Notre Dame, Indiana, United States) ,  Zhukovskyi Maksym (Notre Dame Integrated Imaging Facility, University of Notre Dame, Indiana, United States) ,  Orlova Tatyana (Notre Dame Integrated Imaging Facility, University of Notre Dame, Indiana, United States) ,  Rokhinson Leonid P. (Department of Physics and Astronomy, Purdue University, Indiana, United States) ,  Rokhinson Leonid P. (Birck Nanotechnology Center, Purdue University, Indiana, United States) ,  Rokhinson Leonid P. (Department of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, Indiana, United States) ,  Hsu Yi-Ting (Department of Physics, University of Notre Dame, Indiana, United States) ,  Liu Xinyu (Department of Physics, University of Notre Dame, Indiana, United States) ,  Assaf Badih A. (Department of Physics, University of Notre Dame, Indiana, United States)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 22  号： 2  ページ： 792-800  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トポロジー量子計算に利用できるホストMajoranaゼロモードと予測されるように,トポロジー超伝導体は,大きな励起を引きつけた。分子線エピタキシーにより成長し,(111)面中に歪んでいる候補トポロジー超伝導体Sn_1-xIn_xTe薄膜(0<x<0.3)は,臨界温度T_c以上で超伝導ゆらぎと共存する伝導率におけるホスト量子干渉効果を示した。正常状態磁気抵抗の解析はこれらの効果を明らかにした。弱い反局在化から局在化への交差は超伝導試料で一貫して観察され,超伝導が,強いスピン-軌道分裂であるかもしれない自明な状態を占める電荷キャリアから支配的に起こることを示した。T_c以上で伝導率の大きな増強が観察され,超伝導ゆらぎの存在を示した。この結果は,量子閉じ込めと格子歪を受けるとき,この材料の議論されたペアリング対称性の再調査を動機づける。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 位相幾何学 ,  格子歪 ,  磁気抵抗 ,  対称性 ,  *超伝導 ,  *薄膜 ,  MBE成長 ,  量子干渉効果 ,  ゼロモード ,  量子閉込め ,  量子計算 ,  トポロジカル超伝導体
準シソーラス用語： *超伝導ゆらぎ ,  電荷キャリア ,  伝導率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 超伝導 ,  薄膜 ,  トポロジカル絶縁体 ,  磁気抵抗

分類 (2件)： 表面の電子構造  (BM02080J) ,  Josephson接合・素子  (BM04043E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 薄膜 ,  共存 ,  弱い局在 ,  超伝導ゆらぎ ,  観測