文献

J-GLOBAL ID：202202216307118972   整理番号：22A0705215

準一次元伝導体K_0.3MoO_3の膜形態に及ぼす格子不整合の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of lattice mismatch on film morphology of the quasi-one dimensional conductor K_0.3MoO₃

著者 (7件)： Cao Yifeng (Department of Physics, Boston University, Boston, Massachusetts 02215, USA. [e-mail]) ,  Russo Nicholas ,  Gao Lei ,  Ji Ailing ,  Doerrer Linda H. ,  Lu Nianpeng ,  Smith Kevin E.
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 12  号： 8  ページ： 4521-4525  発行年： 2022年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 準一次元導体K_0.3MoO_3の高品質エピタキシャル薄膜をSrTiO_3(100),SrTiO_3(110)およびSrTiO_3(510)基板上にパルスレーザ蒸着により成長させた。走査電子顕微鏡は基板表面に平行な準一次元棒状構造を明らかにし,X線回折を用いて結晶構造を検証した。K_0.3MoO_3薄膜の抵抗率の温度依存性は,約180Kで金属-半導体転移を示した。SrTiO_3(51)上に成長した膜では,高異方性抵抗率も観測された。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  異方性 ,  エピタクシー ,  基板 ,  結晶構造 ,  走査電子顕微鏡 ,  電気抵抗率 ,  薄膜 ,  品質 ,  温度依存性 ,  *導体 ,  金属-半導体転移 ,  *格子不整合 ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： 高品質 ,  *準一次元 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (2件)： 形態 ,  格子不整合