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J-GLOBAL ID:202202216692048007   整理番号:22A0649633

出現する光吸収材料に熱い光を当てる:酸化物薄膜光電極の開発における急速放射加熱のパワー【JST・京大機械翻訳】

Shining a Hot Light on Emerging Photoabsorber Materials: The Power of Rapid Radiative Heating in Developing Oxide Thin-Film Photoelectrodes
著者 (9件):
資料名:
巻:号:ページ: 514-522  発行年: 2022年 
JST資料番号: W5040A  ISSN: 2380-8195  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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酸化物薄膜光電極の開発における2つの重要な課題を克服するための急速熱処理(RTP)のユニークな可能性を実証した。第一は,金属酸化物中の望ましい密度,結晶性,および低い欠陥濃度を達成するために,ガラスベースのF:SnO_2基板(FTO,~550°C)の通常の温度限界を超える必要性である。850°CへのTa_2O_5,TiO_2,WO_3光電極のフラッシュ加熱はFTOを損傷することなく可能である。RTP加熱速度依存性は,RTPランプの発光スペクトルが,加熱パワーの増加と共に青方偏移し,ワイドバンドギャップ光電極(1.8eV以上)の結晶化挙動に大きく影響することを示唆した。第2の課題は,構造欠陥,トラップ状態,結晶粒界,および相不純物の形成を避け,これは特に多元金属酸化物で困難であった。有望な光アノード材料であるα-SnWO_4のRTP処理は,粒径と好ましい結晶学的再配向の増加をもたらし,新しい性能記録に終わった。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
分類
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塩基,金属酸化物  ,  酸化物薄膜 

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