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J-GLOBAL ID：202202216851011851   整理番号：22A0738590

3D階層的CuS-rGO/g-C_3N_4ナノ構造構築のためのナノ構造と表面工学戦略:フラゾリドン薬物検出のための超高感度で高選択性電気化学センサ【JST・京大機械翻訳】

Nanoarchitecture and surface engineering strategy for the construction of 3D hierarchical CuS-rGO/g-C₃N₄ nanostructure: An ultrasensitive and highly selective electrochemical sensor for the detection of furazolidone drug

著者 (2件)： Bhuvaneswari Chellapandi (Department of Chemistry, School of Advanced Sciences, Vellore Institute of Technology, Vellore 632014, Tamilnadu, India) ,  Ganesh Babu Sundaram (Department of Chemistry, School of Advanced Sciences, Vellore Institute of Technology, Vellore 632014, Tamilnadu, India)
資料名： Journal of Electroanalytical Chemistry  (Journal of Electroanalytical Chemistry)
巻： 907  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0037A  ISSN： 1572-6657  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 剥離したg-C_3N_4シート上に修飾した堅牢な三元不均一電極触媒,グラフェン系CuS球を,ナノアーキテクチャと表面工学戦略を用いて,優れた電気化学特性の検出能力で開発した。フラゾリドン(FZ)の検出に用いた。高感度電気化学センサ(GCEの表面上のCuS-rGO/g-C_3N_4)をリン酸塩緩衝液中で調製し,FZ利用サイクリックボルタンメトリーと示差パルスボルタンメトリーの還元に向けて研究した。最適条件下で,開発した電気化学センサは電流と電位の間に良好な関係を示し,直線範囲は0.1~336.4μMで,検出限界は0.0108μMであった。三元ヘテロ構造CuS-rGO/g-C_3N_4/GCE複合材料の電気化学的研究は,強い電極触媒活性を持ち,一方,裸のGCEは,低い還元電位応答を有し,また,FZの検出に対して,良好な再現性,安定性,および再現性を示した。一般的に遭遇する妨害種であるニトロ基またはカチオンまたはアニオン化合物を有する分析物の存在下で,還元ピーク応答の著しい変化は観察されず,CuS-rGO/g-C_3N_4の優れた選択性を示した。したがって,新しい三元複合材料,CuS-rGO/g-C_3N_4は,FZの電気化学的決定のための導電性で安定な界面を提供するグラフェン系材料の最良のプラットフォームの1つである。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  電位 ,  電流 ,  電極触媒 ,  カチオン ,  *電気化学 ,  検出限界 ,  *三次元 ,  サイクリックボルタンメトリー ,  示差パルスボルタンメトリー ,  ロバスト性 ,  導電性 ,  グラフェン
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  *還元型酸化グラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： フラゾリドン(FZ) ,  CuS-rGO/g-C_3N_4 ,  ガラス状炭素電極(GCE) ,  電気化学センサ(ECS) ,  示差パルスボルタンメトリー(DPV)

分類 (3件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  分析機器  (CC02020S) ,  有機化合物の電気分析  (CC05034O)

タイトルに関連する用語 (11件)： 3D ,  RGO ,  構造構築 ,  ナノ構造 ,  表面工学 ,  戦略 ,  フラゾリドン ,  薬物 ,  高感度 ,  高選択性 ,  電気化学センサ