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J-GLOBAL ID:202202216884202388   整理番号:22A0957190

130nm ASIC上の単一エネルギー陽子により誘起されたシングルイベント効果断面積の測定【JST・京大機械翻訳】

Measurement of single event effect cross section induced by monoenergetic protons on a 130 nm ASIC
著者 (9件):
資料名:
巻: 17  号:ページ: P02007 (12pp)  発行年: 2022年 
JST資料番号: W5562A  ISSN: 1748-0221  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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高輝度LHC(HL-LHC)のような放射環境における集積回路の設計は困難である。集積回路は放射線誘起単一事象効果(SEE)にさらされる。深いサブミクロン技術装置において,SEEsの影響は,三重モジュール冗長性によって軽減することができた。最も感度の高いデータの三倍化を用いて,相互作用粒子によって誘発されたデータ崩壊の大部分を回復した。本論文では,単一イベントアップセット(SEU)と呼ばれるSEEの1タイプを研究した。SEU断面と三重複製の性能を,陽子ビームに曝露したASICプロトタイプを用いて推定した。SEU断面を測定し,1→0と0→1ビットフリップ速度の間の系統的差異を観察した。緩和方法の効率を調査した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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半導体の放射線による構造と物性の変化 

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