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J-GLOBAL ID：202202216894016865   整理番号：22A0836238

低閾値電圧電気光学スイッチ応用のためのVO_2の電気的性質の独立制御【JST・京大機械翻訳】

Independent regulation of electrical properties of VO₂ for low threshold voltage electro-optic switch applications

著者 (16件)： Qi Jiahua (Shenzhen Key Laboratory of Advanced Thin Films and Applications, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China) ,  Zhang Dongping (Shenzhen Key Laboratory of Advanced Thin Films and Applications, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China) ,  Zhang Dongping (Key Laboratory of Optoelectronic Devices and Systems of Ministry of Education, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China) ,  He Qicong (Shenzhen Key Laboratory of Advanced Thin Films and Applications, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China) ,  Zeng Lanxuan (Shenzhen Key Laboratory of Advanced Thin Films and Applications, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China) ,  Liu Yi (Shenzhen Key Laboratory of Advanced Thin Films and Applications, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China) ,  Liu Yi (Key Laboratory of Optoelectronic Devices and Systems of Ministry of Education, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China) ,  Wang Zhuangbing (School of Microelectronics, Hefei University of Technology, Hefei 230009, China) ,  Zhong Aihua (Shenzhen Key Laboratory of Advanced Thin Films and Applications, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China) ,  Zhong Aihua (Key Laboratory of Optoelectronic Devices and Systems of Ministry of Education, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China) ,  Cai Xingmin (Shenzhen Key Laboratory of Advanced Thin Films and Applications, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China) ,  Cai Xingmin (Key Laboratory of Optoelectronic Devices and Systems of Ministry of Education, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China) ,  Ye Fan (Shenzhen Key Laboratory of Advanced Thin Films and Applications, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China) ,  Ye Fan (Key Laboratory of Optoelectronic Devices and Systems of Ministry of Education, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China) ,  Fan Ping (Shenzhen Key Laboratory of Advanced Thin Films and Applications, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China) ,  Fan Ping (Key Laboratory of Optoelectronic Devices and Systems of Ministry of Education, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China)
資料名： Sensors and Actuators. A. Physical  (Sensors and Actuators. A. Physical)
巻： 335  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0345C  ISSN： 0924-4247  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二酸化バナジウムは,室温付近で独特の絶縁体-金属相転移特性を持ち,光スイッチの要求を満たしている。しかし,絶縁体状態の高い抵抗のため,VO_2ベースの光スイッチの作動電圧閾値も高い。それはVO_2ベースの光スイッチ応用の障害の1つである。本研究では,高品質VO_2膜をDCパルスマグネトロンスパッタリングにより作製した。導電性ITOバッファ層を挿入することにより,VO_2シート抵抗は約2桁減少し,電気的相変化特性はほぼ消失した。それでも,高い光変調能力はほとんど影響されない。興味深い結果は,低閾値動作電圧電気光学スイッチの要求を満たす。40μm電極ギャップサイズの場合,VO_2/ITOの閾値電圧は1.4Vであり,同じ条件で純VO_2の20Vよりはるかに低く,1550nmの波長での光スイッチ変調深さは35%に達した。5μm電極ギャップサイズのスイッチに対して,閾値電圧は1.3Vであり,「ON」と「OFF」の応答時間は,それぞれ0.24msと2.1msであった。この結果はVO_2ベースの光スイッチの実用化にとって貴重である。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 相転移 ,  光変調 ,  電気的性質 ,  *スイッチ ,  波長 ,  酸化バナジウム ,  金属-絶縁体転移 ,  光スイッチ ,  バッファ層 ,  シート抵抗 ,  導電性 ,  絶縁体
準シソーラス用語： *閾値電圧 ,  高品質 ,  二酸化バナジウム ,  *電気光学スイッチ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 二酸化バナジウム ,  金属絶縁体転移 ,  閾値電圧 ,  光スイッチ

分類 (2件)： 継電器・スイッチ  (NA05060K) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 低閾値電圧 ,  電気光学スイッチ ,  応用 ,  電気的性質