文献

J-GLOBAL ID：202202217012435990   整理番号：22A0552457

多用途伝導極性と増強トランジスタ性能に向けたステップ状Cr_2S_3横方向ホモ接合のエピタキシャル成長【JST・京大機械翻訳】

Epitaxial Growth of Step-Like Cr₂S₃ Lateral Homojunctions Towards Versatile Conduction Polarities and Enhanced Transistor Performances

著者 (8件)： Cui Fangfang (School of Materials Science and Engineering, Peking University, Beijing, 100871, P. R. China) ,  Zhao Xiaoxu (School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, Singapore, 639798, Singapore) ,  Tang Bin (Key Laboratory for the Physics and Chemistry of Nanodevices and Department of Electronics, Peking University, Beijing, 100871, P. R. China) ,  Zhu Lijie (School of Materials Science and Engineering, Peking University, Beijing, 100871, P. R. China) ,  Huan Yahuan (School of Materials Science and Engineering, Peking University, Beijing, 100871, P. R. China) ,  Chen Qing (Key Laboratory for the Physics and Chemistry of Nanodevices and Department of Electronics, Peking University, Beijing, 100871, P. R. China) ,  Liu Zheng (School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, Singapore, 639798, Singapore) ,  Zhang Yanfeng (School of Materials Science and Engineering, Peking University, Beijing, 100871, P. R. China)
資料名： Small  (Small)
巻： 18  号： 4  ページ： e2105744  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2348A  ISSN： 1613-6810  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2D遷移金属ジカルコゲン化物(TMDC)の応用を拡大するために,同じ親材料における多様な伝導極性を有する機能性デバイスを統合することは,非常に有望な方向である。金属-半導体界面での接触問題の改善も基本的意義を持つ。これらを同時に達成するために,厚さを変えたステップ状Cr_2S_3垂直スタックを1段階化学蒸着(CVD)法により達成した。従って,種々のタイプの2D Cr_2S_3横方向ホモ接合は自然に進化し,すなわち,p_m-ambipolar/n,p/ambipolar,両極性/nおよびn_m-ambipolar/n接合であり,単一Cr_2S_3ホモ接合体における多様な伝導極性の統合を可能にした。より薄い2D Cr_2S_3フレークのオン状態電流密度と電界効果移動度は,それぞれ,横方向ホモ接合で≒5と≒6倍に増加する。本研究は,より単純な構造,例えば,多極電界効果トランジスタ,光検出器,およびインバータの2D機能デバイスを設計するための洞察を提供し,2D材料関連デバイスの電気的性能を最適化するための基本的参照を提供する。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エピタクシー ,  界面 ,  最適化 ,  接合 ,  接触問題 ,  *トランジスタ ,  光検出器 ,  FET【トランジスタ】 ,  電流密度 ,  多重極 ,  機能素子 ,  二次元 ,  化学蒸着 ,  フレーク
準シソーラス用語： 電界効果移動度 ,  金属-半導体界面 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 伝導極性 ,  Cr_2S_3 ,  エピタキシャル成長 ,  横方向ホモ接合

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  測光と光検出器一般  (BD07031F) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (8件)： 用途 ,  伝導 ,  極性 ,  増強 ,  トランジスタ ,  横方向 ,  ホモ接合 ,  エピタキシャル成長