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J-GLOBAL ID：202202217012938723   整理番号：22A0796071

ν=3-ボロフェンとvan der Waalsヘテロ構造の無機ガスセンシング性能【JST・京大機械翻訳】

Inorganic gas sensing performance of χ₃-borophene and the van der Waals heterostructure

著者 (10件)： Huo Yiqi (College of Physics and Optoelectronics, Taiyuan University of Technology, Taiyuan 030024, China) ,  Liu Ruiping (College of Physics and Optoelectronics, Taiyuan University of Technology, Taiyuan 030024, China) ,  Liu Ruiping (Key Lab of Advanced Transducers and Intelligent Control System, Ministry of Education, Taiyuan University of Technology, Taiyuan 030024, China) ,  Sun Qing (College of Physics and Optoelectronics, Taiyuan University of Technology, Taiyuan 030024, China) ,  Yang Zhi (College of Physics and Optoelectronics, Taiyuan University of Technology, Taiyuan 030024, China) ,  Yang Zhi (Key Lab of Advanced Transducers and Intelligent Control System, Ministry of Education, Taiyuan University of Technology, Taiyuan 030024, China) ,  Xu Li-Chun (College of Physics and Optoelectronics, Taiyuan University of Technology, Taiyuan 030024, China) ,  Xu Li-Chun (Key Lab of Advanced Transducers and Intelligent Control System, Ministry of Education, Taiyuan University of Technology, Taiyuan 030024, China) ,  Liu Xuguang (Key Lab of Interface Science and Engineering in Advanced Materials, Ministry of Education, Taiyuan University of Technology, Taiyuan 030024, China) ,  Liu Xuguang (College of Materials Science and Engineering, Taiyuan University of Technology, Taiyuan 030024, China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 581  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,二次元(2D)材料χ_3-ボロフェンを,実験で合成した。本研究では,密度汎関数理論と非平衡Green関数法を組み合わせて,χ_3-ボロフェン上の小さなガス分子NO,NO_2,NH_3,COおよびCO_2の吸着挙動,および対応する輸送特性およびセンシング性能を理論的に調べた。著者らの結果は,NO,NO_2,NH_3およびCOが,化学吸着によってこの2D材料に吸着し,一方,CO_2は物理吸着を採用することを示唆した。χ_3-ボロフェンの輸送特性は,NO,NO_2,NH_3およびCOの吸着に敏感であり,従って,これらのガス分子のためのガスセンサを構築するために使用できる。特に,χ_3-ボロフェンはNOに対して非常に敏感であり,より興味深いことに,NOに対する検出性能は面内歪を適用することにより大いに改善できる。さらに,基板として半導体WSe_2を用いて,一種のvan der Waalsヘテロ構造を理論的に予測した。χ_3-ボロフェン上のNO,NO_2,NH_3およびCOの吸着挙動は基板によってほとんど影響されないが,WSe_2はχ_3-ボロフェンの安定性を効果的に増強し,センシング性能を正に調節し,χ_3-ボロフェンガスセンサを実現するための実際の方法を示唆した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 化学吸着 ,  基板 ,  *吸着 ,  半導体 ,  二次元 ,  ガスセンサ ,  密度汎関数法 ,  物理吸着
準シソーラス用語： 輸送特性 ,  *ヘテロ構造 ,  検出能 ,  非平衡Green関数 ,  気体分子 ,  *ボロフェン ,  van der Waalsヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Δ3-ボロフェン ,  ガスセンサー ,  センシング性能 ,  ヘテロ構造 ,  歪

分類 (2件)： 分析機器  (CC02020S) ,  吸着の電子論  (CB12042Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： ボロフェン ,  VAN ,  ヘテロ構造 ,  センシング