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J-GLOBAL ID：202202217043884232   整理番号：22A0921230

高周波応用のためのバッファ層を使用しない導電性ホウ素ドープナノ結晶ダイヤモンド膜上に直接成長した窒化アルミニウム薄膜【JST・京大機械翻訳】

Aluminium nitride thin films directly grown on conducting boron-doped nanocrystalline diamond films without using buffer layer for high frequency applications

著者 (5件)： Das Amal (Department of Electrical Engineering, Microelectronics and MEMS Laboratory, IIT Madras, Chennai 600036, India) ,  Rath Martando (Department of Physics, Material Science Research Centre, IIT Madras, Chennai 600036, India) ,  Nair Deleep R. (Department of Electrical Engineering, Microelectronics and MEMS Laboratory, IIT Madras, Chennai 600036, India) ,  Rao M.S. Ramachandra (Department of Physics, Material Science Research Centre, IIT Madras, Chennai 600036, India) ,  DasGupta Amitava (Department of Electrical Engineering, Microelectronics and MEMS Laboratory, IIT Madras, Chennai 600036, India)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 315  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アルミニウムNitride(AlN)-ダイヤモンドヘテロ構造は高周波音響波共振器応用の有望な候補である。本論文は,ホウ素ドープナノ結晶ダイヤモンド(B-NCD)膜上に直接成長したAlN膜の電気的,圧電的および機械的性質を報告する。X線回折(XRD)とRaman分光法を用いて,B-NCDとAlN膜の結晶性を決定した。作製したAl/AlN/B-NCDキャパシタの電気特性評価から,抵抗率(~8×107Ω.m)と誘電率(14)を得た。AlN膜の圧電係数(d_33,4.3pmV-1)を圧電力顕微鏡(PFM)法で測定した。ナノインデンテーション法を用いて,AlN膜の硬度(14GPa)と弾性率(~202GPa)を決定した。AlN/B-NCD/Si(100)ヘテロ構造のこれらの異なる特性は,5G応用のための高周波共振器を実現する高性能プラットフォームを提供することを示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  共振器 ,  コンデンサ ,  弾性係数 ,  *薄膜 ,  誘電率 ,  *ダイヤモンド ,  *ホウ素 ,  圧電気 ,  *HF【周波数】 ,  *ドーピング ,  素子構造 ,  *窒化アルミニウム ,  *バッファ層 ,  *導電性
準シソーラス用語： ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： スパッタリング ,  薄膜 ,  誘電体 ,  圧電材料 ,  XPS

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (10件)： 高周波 ,  応用 ,  バッファ層 ,  導電性 ,  ホウ素 ,  ドープ ,  ナノ結晶ダイヤモンド膜 ,  成長 ,  窒化アルミニウム ,  薄膜