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J-GLOBAL ID：202202217136393720   整理番号：22A0861951

トランジスタのための高分子絶縁体支援アニーリングによる金/共役高分子接触での電荷注入の改善【JST・京大機械翻訳】

Improving Charge Injection at Gold/Conjugated Polymer Contacts by Polymer Insulator-Assisted Annealing for Transistors

著者 (8件)： Wei Peng (State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment, and Frontier Institute of Science and Technology, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, Shaanxi, 710054, China) ,  Shen Zichao (State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment, and Frontier Institute of Science and Technology, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, Shaanxi, 710054, China) ,  Qin Xinsu (School of Chemistry, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, Shaanxi, 710049, China) ,  Zhang Peng (School of Material Science and Engineering, PCFM Lab, Sun Yat-sen University, Guangzhou, Guangdong, 510275, China) ,  Bu Laju (School of Chemistry, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, Shaanxi, 710049, China) ,  Chen Qing (Deutsches Elektronen-Synchrotron (DESY), Notkestr. 85, D-22607, Hamburg, Germany) ,  Roth Stephan V. (Deutsches Elektronen-Synchrotron (DESY), Notkestr. 85, D-22607, Hamburg, Germany) ,  Lu Guanghao (State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment, and Frontier Institute of Science and Technology, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, Shaanxi, 710054, China)
資料名： Small  (Small)
巻： 18  号： 9  ページ： e2105896  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2348A  ISSN： 1613-6810  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属と有機材料の間の貧弱な化学的混和性は,通常,金/有機界面での構造的およびエネルギー的ミスマッチと,それによって有機電子デバイスの高い接触抵抗の両方をもたらす。本研究は,有機電界効果トランジスタの接触抵抗が,高分子絶縁体支援熱アニーリングで金電極と共役高分子の間の接触界面を改質することにより,1桁大きく減少することを示す。最適化した溶液プロセスでは,共役高分子は比較的低いガラス転移温度で非晶質高分子絶縁体マトリックス中に均一に分布し,従って,中程度のアニーリング温度でも共役高分子鎖の十分な運動を誘起し,同時に高分子配向を調整し,金原子の充填を改善した。その結果,金/共役高分子接触はアニーリング後に再組織化され,バルク金から界面への電荷輸送と金から共役高分子への電荷注入の両方を改善する。適切な絶縁体マトリックスを有するこの方法は,正孔と電子の両方の注入の改善に有効であり,デバイス性能を最適化し,同時に光透過性(80%以上)を増加させるために,多くの単極性と両極性共役高分子に広く適用出来る。最適化された電荷注入特性を有する両極性トランジスタを用いて,周波数二重器と位相変調器をそれぞれ実証した。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  最適化 ,  *焼なまし ,  正孔 ,  接触抵抗 ,  *トランジスタ ,  *金 ,  ガラス転移点 ,  *高分子 ,  再編成 ,  *キャリア注入 ,  *絶縁体
準シソーラス用語： 電荷輸送 ,  *共役重合体 ,  有機FET , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 電荷注入 ,  共役高分子 ,  接触抵抗 ,  有機電界効果トランジスタ ,  ポリマブレンド

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (8件)： トランジスタ ,  高分子 ,  絶縁体 ,  支援 ,  アニーリング ,  金 ,  共役高分子 ,  電荷注入