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J-GLOBAL ID：202202217384586606   整理番号：22A0901225

PEDOT:PSS正孔輸送層の調整による準2Dペロブスカイト発光ダイオードの効率の増強【JST・京大機械翻訳】

Boosting the efficiency of quasi-2D perovskite light-emitting diodes via tailoring the PEDOT:PSS hole transport layer

著者 (7件)： He Bingchen (Joint Key Laboratory of the Ministry of Education, Institute of Applied Physics and Materials Engineering, University of Macau, Avenida da Universidade, Taipa, Macau 999078, China) ,  Liu Tanghao (Joint Key Laboratory of the Ministry of Education, Institute of Applied Physics and Materials Engineering, University of Macau, Avenida da Universidade, Taipa, Macau 999078, China) ,  Wang Bingzhe (Joint Key Laboratory of the Ministry of Education, Institute of Applied Physics and Materials Engineering, University of Macau, Avenida da Universidade, Taipa, Macau 999078, China) ,  Wen Zhaorui (Joint Key Laboratory of the Ministry of Education, Institute of Applied Physics and Materials Engineering, University of Macau, Avenida da Universidade, Taipa, Macau 999078, China) ,  Yu Xuanchi (Joint Key Laboratory of the Ministry of Education, Institute of Applied Physics and Materials Engineering, University of Macau, Avenida da Universidade, Taipa, Macau 999078, China) ,  Xing Guichuan (Joint Key Laboratory of the Ministry of Education, Institute of Applied Physics and Materials Engineering, University of Macau, Avenida da Universidade, Taipa, Macau 999078, China) ,  Chen Shi (Joint Key Laboratory of the Ministry of Education, Institute of Applied Physics and Materials Engineering, University of Macau, Avenida da Universidade, Taipa, Macau 999078, China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 585  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 準2Dペロブスカイト発光ダイオード(PeLED)において,ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン):ポリ(スチレンスルホナート(PEDOT:PSS)は,その高い導電性,高い光透過性,柔軟性および良好な水加工性のため,正孔輸送層として広く使用されている。しかし,純粋なPEDOT:PSSは,大きなエネルギーレベルオフセット,厳しい界面励起子消光を有し,高品質の準2Dペロブスカイト成長に不適であり,PeLEDは効率が低い。本研究では,PEDOT:PSS膜中に過剰なPSSNaを導入し,PeLEDの外部量子効率(EQE)を著しく改良することによって,異なるPSSNa濃度を有するPEDOT:PSS層を調整する容易な方法を開発した。改質PEDOT:PSS膜は,元の膜より著しく滑らかであり,良好なペロブスカイト形態をもたらした。表面PSSの豊富さも非放射励起子消光を低減し,正孔注入障壁を0.7eVから0.4eVに低下させた。これらの改善のため,デバイスのEQEは4.9%から11.3%に増加した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エネルギー準位 ,  *発光ダイオード ,  界面 ,  消光 ,  励起子 ,  加工性 ,  ポリマブレンド ,  *二次元 ,  キャリア注入 ,  透光性 ,  ポリスチレンスルホン酸 ,  NaPSS ,  導電性 ,  ポリエチレンジオキシチオフェン
準シソーラス用語： 高品質 ,  外部量子効率 ,  正孔注入 ,  *正孔輸送層 ,  PEDOT:PSS , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 準2Dペロブスカイト発光ダイオード ,  修正PEDOT:PSS ,  エネルギー準位マッチング ,  電流注入

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (7件)： PEDOT ,  PSS ,  正孔輸送層 ,  2D ,  ペロブスカイト ,  発光ダイオード ,  増強