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J-GLOBAL ID：202202217456697743   整理番号：22A0636214

角度分解偏光Raman分光法による数層ReS_2におけるRamanモードの異常な偏光パターン発展【JST・京大機械翻訳】

Anomalous polarization pattern evolution of Raman modes in few-layer ReS₂ by angle-resolved polarized Raman spectroscopy

著者 (6件)： Wu Ruowei (Shaanxi Joint Lab of Graphene, International Collaborative Center on Photoelectric Technology and Nano Functional Materials, State Key Laboratory of Photon-Technology in Western China Energy, Institute of Photonics & Photon-Technology, Northwest University, Xi’an 710069, China. xlxuphy@nw...) ,  Qi Mei ,  Zhao Qiyi ,  Huang Yuanyuan ,  Zhou Yixuan ,  Xu Xinlong
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 14  号： 5  ページ： 1896-1905  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ReS_2の低対称性は面内だけでなく面外異方性光散乱も有し,それは複雑で,本質的に強い電子-フォノン結合で興味深い。このような場合,Ramanテンソルは,異なるRamanモードに対して層に依存する9つの非ゼロ要素で洗練された。ここでは,角度分解偏光Raman分光法による数層ReS_2の面内および面外Ramanモードの偏光パターン発展を系統的に調べた。層依存性の少ない面内Ramanモードを用いて,層間の弱い電子-フォノン相互作用による結晶方位(Re-鎖方向)を決定した。しかし,面外および混合振動Ramanモードは,層間の明白な電子-フォノン相互作用のために,非常に明白な層依存性を示した。そのように,面外振動Ramanモードの偏光パターンは,花弁型だけでなく最大Raman強度方向でも層によって歪んでいる。この歪みは主にRaman元素間の位相差に起因し,これは近バンドギャップ励起レーザによる複素値である。結果は,低対称性二次元材料における異方性への深い洞察が,豊富な物理学だけでなく,電位分極オプトエレクトロニックデバイスも与えることができることを明らかにした。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 振動 ,  対称性 ,  電位 ,  電子-フォノン相互作用 ,  テンソル ,  光散乱 ,  分極 ,  *偏光 ,  励起 ,  結晶方位 ,  *Raman分光法 ,  Raman強度 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 位相差 ,  光電子デバイス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 無機化合物の赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル  (BM08063C) ,  結晶中のフォノン・格子振動  (BL03020Z)

タイトルに関連する用語 (4件)： 分解 ,  偏光 ,  Raman分光法 ,  発展