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J-GLOBAL ID:202202217505751054   整理番号:22A1028310

微分応力を生成する高温高圧実験装置のレビュー【JST・京大機械翻訳】

A Review of High-Temperature and High-Pressure Experimental Apparatus Capable of Generating Differential Stress
著者 (3件):
資料名:
巻: 10  ページ: 852403  発行年: 2022年 
JST資料番号: U7066A  ISSN: 2296-6463  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 文献レビュー  発行国: スイス (CHE)  言語: 英語 (EN)
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地球内部における物質が等方性静水圧を受け,また,微分応力によって広範囲に重畳されることを実証した。微分応力は物質の自由エネルギーに著しく寄与し,物質系の組成,構造,特性,相互作用プロセスを制御する決定因子である。したがって,微分応力は温度と静水圧と共に地球内部システムを支配する最も基本的な熱力学的変数の一つである。それにもかかわらず,高温高圧(HT-HP)セットアップとその場測定技術の限界と,差分応力の限られた理解のため,地球の内部の以前のHT-HP実験は,いくつかの特別な応力-ひずみ力学実験と圧電分解と速度変成作用実験を除いて,差分応力の役割をカバーしなかった。これは,HT-HP実験から得られた地球内部に関する多くの知識を一般的に疑問にしている。現在,地球内部における温度,静水圧,および差動応力をシミュレートするために使用できるHT-HP実験装置は,Griggsプレス,Patsonレオメータ,D-DIAプレス,RDAプレス,およびねじりダイヤモンドアンビルセルを含む。高温でのGriggsプレスでシミュレートできる最大静水圧は約2GPaであり,微分応力の較正に大きな不確実性がある。Patsonレオメータは,あまりに低い拘束圧を提供した。D-DIAプレスとRDAプレスは広範囲の温度と圧力をシミュレートできるが,D-DIAプレスは非常に小さな歪変数を達成し,RDAプレスは非常に不均一な試料応力を有する。ねじりダイヤモンドアンビルセルは小さなサンプルサイズを受け入れるだけで,微分応力を較正するのは難しい。また,これらの既存のHT-HP実験装置は,電気的,超音波,および熱物理特性のような物理的性質を調べるために,その場測定システムと容易に界面とはならない。したがって,研究者は,地球内部における物質の組成,構造,構成,特性,および相互作用を適切に理解するために,将来,異なる応力を有するHT-HP装置の研究開発において,より多くの努力を投資する必要がある。Copyright 2022 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
分類
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高圧技術  ,  地球内部物理学一般 
引用文献 (50件):
  • AnilS. K., AndraultD., BouvierP. (2012). X-ray Diffraction from Stishovite under Nonhydrostatic Compression to 70 GPa: Strength and Elasticity across the Tetragonal-Orthorhombic Transition. Phys. Earth Planet. Interiors 208-209, 1. doi: 10.1016/j.pepi.2012.07.003
  • BenjaminH. K., KingD. S. H., KohlstedtD. L. (2012). Effects of Stress-Driven Melt Segregation on the Viscosity of Rocks. Earth Planet. Sci. Lett. 359-360, 184. doi: 10.1016/j.epsl.2012.09.030
  • Ben-ItzhakL. L., ErezJ., AharonovE., (2016). Precipitation of CaCO3 in Pressure Solution Experiments: The Importance of Damage and Stress [J]. Earth and Planetary Science Letters: A Letter Journal Devoted to the Development in Time of the Earth and Planetary System 434, 30-41. doi: 10.1016/j.epsl.2012.09.030
  • BudnitzkiM., KunaM. (2016). Stress Induced Phase Transitions in Silicon. J. Mech. Phys. Sol. 95 (1), 63-91. doi: 10.1016/j.jmps.2016.03.017
  • CaoL. Z., ChengB. L., WangS. Y., FuW. Y., DingS., SunZ. H., et al (2006). Influence of Stress on Raman Spectra in Ba1-xSrxTiO3thin Films. J. Phys. D: Appl. Phys. 39, 2819-2823. doi: 10.1088/0022-3727/39/13/027
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