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J-GLOBAL ID：202202217689907898   整理番号：22A0704664

VO_2血小板における高電荷注入時の3段階相転移【JST・京大機械翻訳】

A three-step phase transition upon high charge injection in VO₂ platelets

著者 (3件)： Smieszek Nicholas (Howard P. Isermann Department of Chemical and Biological Engineering, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, New York 12180, USA) ,  Joshi Siddharth (Howard P. Isermann Department of Chemical and Biological Engineering, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, New York 12180, USA) ,  Chakrapani Vidhya (Howard P. Isermann Department of Chemical and Biological Engineering, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, New York 12180, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 120  号： 6  ページ： 062102-062102-8  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,67°Cで絶縁体から金属転移(IMT)を受ける典型的な強く相関した酸化物であるVO_2の二次元層における高電子注入限界での相転移の動力学を報告した。今日までの以前の研究は,エピタキシャル薄膜における約1021cm-3の高い電子ドーピングと,イオン液体電解質における触媒スピルオーバと電気化学的ゲーティングによるVO_2のナノ粒子を報告し,それは逐次絶縁体-to-金属-to-絶縁体相転移を誘起することを示した。電気化学的ゲーティング中の高速Li+拡散と拡散速度を可能にする二次元結晶小板の使用により,4×1023cm-3の高い電子密度が,顕著な構造損傷なしにVO_2に可逆的に注入できることを示した。これは,電子ドーピングによるn型からp型への電気極性のスイッチと共に,前例のない3段階絶縁体-to-金属-to-絶縁体-to-金属遷移を含む巨大伝導変調をもたらす。バナジウムレドックス誘起バンド充填,構造歪み,および電子相関効果を含む熱,電気化学,および組成誘起IMTの起源を説明する統一「格子レドックスモデル」を提案した。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エピタクシー ,  *相転移 ,  電子密度 ,  薄膜 ,  酸化物 ,  電子相関 ,  ドーピング ,  電解質 ,  電気化学 ,  二次元 ,  *キャリア注入 ,  スピルオーバ ,  ナノ粒子 ,  絶縁体
準シソーラス用語： ゲーティング ,  電子ドーピング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体転移  (BM02110T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 血小板 ,  電荷注入 ,  段階 ,  相転移