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J-GLOBAL ID：202202217751151951   整理番号：22A0796205

g-C_3N_4/BiVO_4ヘテロ接合における効率的な光触媒分解のためのBiVO_4の結晶制御【JST・京大機械翻訳】

Crystal regulation of BiVO₄ for efficient photocatalytic degradation in g-C₃N₄/BiVO₄ heterojunction

著者 (6件)： Li Xiang (Institute of Chemical Industry of Forest Products, Chinese Academy of Forestry, Key Lab. Of Biomass Energy and Material, Jiangsu Province, Co-Innovation Center of Efficient Processing and Utilization of Forest Resource, Jiangsu Province, Key Lab. of Chemical Engineering of Forest Products...) ,  Li Xiang (Nanjing Forestry University, Nanjing, 210037, China) ,  Fang Guigan (Institute of Chemical Industry of Forest Products, Chinese Academy of Forestry, Key Lab. Of Biomass Energy and Material, Jiangsu Province, Co-Innovation Center of Efficient Processing and Utilization of Forest Resource, Jiangsu Province, Key Lab. of Chemical Engineering of Forest Products...) ,  Fang Guigan (Shandong Huatai Paper Co., Ltd., Dongying, Shandong Province, 257335, China) ,  Tian Qingwen (Institute of Chemical Industry of Forest Products, Chinese Academy of Forestry, Key Lab. Of Biomass Energy and Material, Jiangsu Province, Co-Innovation Center of Efficient Processing and Utilization of Forest Resource, Jiangsu Province, Key Lab. of Chemical Engineering of Forest Products...) ,  Wu Ting (Institute of Chemical Industry of Forest Products, Chinese Academy of Forestry, Key Lab. Of Biomass Energy and Material, Jiangsu Province, Co-Innovation Center of Efficient Processing and Utilization of Forest Resource, Jiangsu Province, Key Lab. of Chemical Engineering of Forest Products...)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 584  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光触媒によって発生するラジカルは,それらの超酸化能力と非汚染特性のため,環境汚染処理に広く使用され,バンド電位と電子移動型によって制御された。ここでは,結晶工学を通して,異なる結晶構造を有するBiVO_4を含む新しいg-C_3N_4/BiVO_4を開発し,光照射の下でスーパーオキシドラジカルおよびヒドロキシルラジカルを生成することができた。BiVO_4結晶面の(110)および(010)は,異なる電子移動経路を示し,それは,ビルトイン電場の存在が,S-スキーム電子移動の内部駆動力であることを示した。S-スキーム電子移動は電子と正孔の再結合を減少させ,光電流密度を促進し,II型電子移動は活性酸化物の分解を減少できた。S-スキームとII型電子移動の比率を調整することによって,1%g-C_3N_4の添加は,有機汚染物質の光触媒活性を2.3倍増加させることができた。そして,g-C_3N_4とBiVO_4の界面間のギャップも汚染物質の吸着容量を増加させた。本研究は,光触媒における結晶構造と界面電子移動の調節の理論的基礎を提供する。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  界面 ,  結晶構造 ,  再結合 ,  正孔 ,  電位 ,  ラジカル ,  汚染物質 ,  光照射 ,  触媒活性 ,  ヒドロキシルラジカル ,  電子移動 ,  *光触媒
準シソーラス用語： 光触媒活性 ,  有機汚染物質 ,  スーパーオキシドラジカル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 結晶工学 ,  ラジカル ,  S-スキーム ,  ナノサイズg-C_3N_4 ,  可視光光触媒

分類 (2件)： 光化学一般  (CB08010U) ,  下水,廃水の化学的処理  (SC03050W)

タイトルに関連する用語 (3件)： ヘテロ接合 ,  光触媒分解 ,  結晶