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J-GLOBAL ID:202202217802266329   整理番号:22A0794555

実験室X線回折計を用いて可視化したワイドバンドギャップ半導体ウエハにおける結晶面の三次元湾曲【JST・京大機械翻訳】

Three-dimensional curving of crystal planes in wide bandgap semiconductor wafers visualized using a laboratory X-ray diffractometer
著者 (8件):
資料名:
巻: 583  ページ: Null  発行年: 2022年 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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結晶成長またはウエハ平坦化過程中の熱応力によって引き起こされるワイドバンドギャップ半導体ウエハにおける結晶面(CCP)の湾曲は,その後のエピタキシャル成長およびデバイス製作において重大な問題を引き起こす。したがって,それは正確な評価を必要とする。本論文では,実験室X線回折計を用いて三次元空間におけるCCPを可視化する方法を報告する。4H-SiC,GaN,AlN,およびβ-Ga_2O_3市販基板について,広く変化するサイズと厚さ,表面配向,表面処理,ドーパント種,および転位密度を有する特性CCPを示した。結果は,CCP(例えば,凸状または凹型,等方性または異方性)の形に関する概観と,これらの最新のパワー半導体ウエハにおける曲率半径の概観を得ることにおいて,結晶成長器を助けるであろう。この方法は,結晶成長条件とウエハ平坦化プロセスを最適化するために使用できる。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
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JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体の結晶成長  ,  非線形光学  ,  有機化合物の結晶成長 

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