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J-GLOBAL ID：202202217805997623   整理番号：22A0434104

Cu-VおよびVターゲットからの共スパッタリングにより作製したCu_3VS_4膜を用いた成長と光起電力デバイス【JST・京大機械翻訳】

Growth and photovoltaic device using Cu₃VS₄ films prepared via co-sputtering from Cu-V and V targets

著者 (3件)： Syu Wei-Jhe (Department of Mechatronics Engineering, National Changhua University of Education, Changhua, Taiwan) ,  Hsu Rui-Yun (Green Energy & Environment Research Laboratories, Industrial Technology Research Institute, Hsinchu, Taiwan) ,  Lin Yi-Cheng (Department of Mechatronics Engineering, National Changhua University of Education, Changhua, Taiwan)
資料名： Materials Chemistry and Physics  (Materials Chemistry and Physics)
巻： 277  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： E0934A  ISSN： 0254-0584  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CVS(Cu_3VS_4)材料は,構成材料のアベイラビリティとほぼ理想的なエネルギーギャップ(1.3~1.5eV)により,新世代の薄膜太陽電池吸収体材料になる可能性を有する。本研究では,種々のCu/V比の薄膜を製造するために,Cu-VとVのターゲットと種々の硫化温度を用いた共スパッタリングの影響を調べた。実験では,高いCu/V比を有するCVS膜は,H_2S硫化プロセスの間に,二次相(CuS,Cu_1.8S,Cu_2S,およびCu_0.7V_2.3S_4)の出現と共に,Cu_2-XSの大きな表面結晶粒を示した。高い硫化温度を有する低いCu/V比は,ほぼ単相のCVSを生成した。最適CVS吸収体層を,550°Cの温度で20分間硫化して2.76のCu/V比を使用して調製した。プロトタイプCVS薄膜太陽電池は3.11%の最大電力変換効率を達成した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エネルギーギャップ ,  結晶成長 ,  太陽電池 ,  薄膜 ,  *銅 ,  硫化 ,  アベイラビリティ ,  光起電素子 ,  結晶粒 ,  吸収体 ,  単相 ,  プロトタイプ
準シソーラス用語： 薄膜太陽電池 ,  電力変換効率 ,  *同時スパッタリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Cu_3VS_4太陽電池 ,  同時スパッタリング ,  H_2S硫化 ,  結晶成長

分類 (5件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (6件)： Cu ,  ターゲット ,  共スパッタリング ,  作製 ,  成長 ,  光起電力デバイス