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J-GLOBAL ID:202202217815696797   整理番号:22A0388965

自己出力Mg_2Si/Si光検出器の高性能広帯域光応答【JST・京大機械翻訳】

High-performance broadband photoresponse of self-powered Mg2Si/Si photodetectors
著者 (7件):
資料名:
巻: 33  号: 11  ページ: 115202 (11pp)  発行年: 2022年 
JST資料番号: W0108A  ISSN: 0957-4484  CODEN: NNOTER  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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赤外オプトエレクトロニックデバイスは,優れた機密性と信頼性で過酷な環境で動作できる。それにもかかわらず,大きなバンドギャップ値から,ほとんどの半導体材料は赤外光信号を検出するのが難しい。ここでは,低コスト,容易なプロセス,環境調和性,およびシリコンCMOS技術との適合性を有するMg_2Si/Siヘテロ接合光検出器(PD)を,ゼロバイアス下で532から1550nmまで試験した広帯域スペクトル応答で報告した。入射光波長が808nmのとき,Mg_2Si/Si光検出器(PD)は1.04AW-1の応答性と1.51×1012Jonesの比検出性を有した。さらに,Mg_2Si層上に集合したAgナノ粒子(Ag_NP)は,Mg_2Si/Si PDの性能を大きく改善できることを見出した。808nm照射下のAg_NPによるMg_2Si/Siデバイスの応答性と比検出性は,それぞれ2.55AW-1と2.60×1012Jonesであった。これらの優れた光検出性能は,著者らの成長したMg_2Si材料の高品質とヘテロ接合における強い内蔵電場効果に起因し,これは,Ag_NPによって誘起された局所表面プラズモン効果と局所電磁場によってさらに増強できる。本研究は,シリコン材料に基づく新しい自己出力赤外PDの開発に重要な指針を提供するであろう。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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測光と光検出器一般 

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