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J-GLOBAL ID：202202217854378978   整理番号：22A0901187

Ge表面に適用したSeebeck効果の空間依存性交差試験法【JST・京大機械翻訳】

Spatial-dependence cross-examination method of the Seebeck effect applied to Ge surface

著者 (5件)： Chelly Avraham (Alexander Kofkin Faculty of Engineering, Bar-Ilan University, Ramat Gan 5290002, Israel) ,  Belhassen Jeremy (Alexander Kofkin Faculty of Engineering, Bar-Ilan University, Ramat Gan 5290002, Israel) ,  Belhassen Jeremy (Lev Academic Center, Dept. of Applied Physics/Electro-Optics Eng., Advanced Lab. of Electro-Optics, 21 Havaad Haleumi St., POB 16031, Jerusalem 9116001, Israel) ,  Karsenty Avi (Lev Academic Center, Dept. of Applied Physics/Electro-Optics Eng., Advanced Lab. of Electro-Optics, 21 Havaad Haleumi St., POB 16031, Jerusalem 9116001, Israel) ,  Karsenty Avi (Nanotechnology Educational and Research Center, Lev Academic Center, Jerusalem 9116001, Israel)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 585  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,半導体材料における温度および電位のようないくつかのパラメータの変化挙動を可視化するために,空間依存評価法を示した。よく知られた実験標準法が固体測定と結果を可能にするならば,空間依存シミュレーションは機構の良好なステップバイステップ追跡を可能にする。3つの相補的方法(解析的,数値的および実験的)の元の組み合わせを,室温以上の小さな温度変化に対するゲルマニウムのSeebeck係数を抽出するための全パッケージとして提示した。n型GeのSeebeck係数に対する実験的負の温度効果を,低ドーピングレベルで少数キャリアの影響によってうまく解釈し,解析及び数値モデルのいくつかの限界を示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 温度 ,  シミュレーション ,  電位 ,  *熱起電力 ,  *ゲルマニウム ,  半導体材料 ,  *交差試験 ,  温度依存性 ,  可視化 ,  少数キャリア ,  温度変動 ,  輸送係数
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  数値モデル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： ホットプローブ法 ,  ゲルマニウム ,  荷電キャリアの拡散 ,  熱分布 ,  熱電効果 ,  Beebeck係数 ,  数値解析と解析

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： Ge ,  Seebeck効果 ,  空間依存性 ,  交差試験