文献

J-GLOBAL ID：202202217962489162   整理番号：22A0300986

ZnO(0001)上の分子ビームエピタクシーで成長させた単結晶PtSe_2の高キャリア移動度【JST・京大機械翻訳】

High carrier mobility in single-crystal PtSe₂ grown by molecular beam epitaxy on ZnO(0001)

著者 (8件)： Bonell Frederic (University Grenoble Alpes, CNRS, CEA, Spintec, 38000 Grenoble, France) ,  Marty Alain (University Grenoble Alpes, CNRS, CEA, Spintec, 38000 Grenoble, France) ,  Vergnaud Celine (University Grenoble Alpes, CNRS, CEA, Spintec, 38000 Grenoble, France) ,  Consonni Vincent (University Grenoble Alpes, CNRS, Grenoble INP, LMGP, 38000 Grenoble, France) ,  Okuno Hanako (University Grenoble Alpes, CEA, IRIG-MEM, 38000 Grenoble, France) ,  Ouerghi Abdelkarim (University Paris-Saclay, CNRS, Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies, 91120 Palaiseau, France) ,  Boukari Herve (University Grenoble Alpes, CNRS, Grenoble INP, Institut Neel, 38000 Grenoble, France) ,  Jamet Matthieu (University Grenoble Alpes, CNRS, CEA, Spintec, 38000 Grenoble, France)
資料名： 2D Materials  (2D Materials)
巻： 9  号： 1  ページ： 015015 (8pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： W5550A  ISSN： 2053-1583  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： PtSe_2は,マイクロエレクトロニクス,光検出およびスピントロニクスにおいて想定された応用を有する高移動度二次元材料としてかなり注目されている。ウエハスケール均一性を有する絶縁基板上の高品質PtSe_2の成長は,電子輸送研究およびデバイスにおける実用化のための必要条件である。ここでは,分子線エピタキシーによるZnO(0001)上の高度に配向した少数層PtSe_2の成長を報告する。薄膜の結晶構造を,電子とX線回折,原子間力顕微鏡と透過型電子顕微鏡でキャラクタリゼーションした。グラフェン,サファイア,雲母,SiO_2およびPt(111)上に成長したPtSe_2層との比較は,絶縁基板の中でZnO(0001)が優れた構造品質の膜を生成することを示した。PtSe_2の5つの単分子層を有するエピタキシャルZnO/PtSe_2上で行ったHall測定は,室温で200cm2V-1s-1を超える明確な半導体挙動と,低い温度で447cm2V-1s-1までの高い移動度を示した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  *エピタクシー ,  *キャリア移動度 ,  *単結晶 ,  半導体 ,  品質 ,  単分子層 ,  *酸化亜鉛 ,  雲母 ,  サファイア ,  *MBE成長 ,  マイクロエレクトロニクス ,  透過型電子顕微鏡 ,  スピントロニクス ,  グラフェン

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： ZnO ,  分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  単結晶 ,  キャリア移動度