文献

J-GLOBAL ID：202202218348852180   整理番号：22A0629093

2Dインジウムリンスルフィド(In_2P_3S_9):新しいvan der Waals高k誘電体【JST・京大機械翻訳】

2D Indium Phosphorus Sulfide (In₂P₃S₉): An Emerging van der Waals High-k Dielectrics

著者 (10件)： Zhu Cheng-Yi (Sauvage Laboratory for Smart Materials, School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Shenzhen, Shenzhen, 518055, China) ,  Qin Jing-Kai (Sauvage Laboratory for Smart Materials, School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Shenzhen, Shenzhen, 518055, China) ,  Huang Pei-Yu (Sauvage Laboratory for Smart Materials, School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Shenzhen, Shenzhen, 518055, China) ,  Sun Hai-Lin (Sauvage Laboratory for Smart Materials, School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Shenzhen, Shenzhen, 518055, China) ,  Sun Nie-Feng (National Key Laboratory of ASIC, Hebei Semiconductor Research Institute, Shijiazhuang, 050051, China) ,  Shi Yan-Lei (National Key Laboratory of ASIC, Hebei Semiconductor Research Institute, Shijiazhuang, 050051, China) ,  Zhen Liang (Sauvage Laboratory for Smart Materials, School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Shenzhen, Shenzhen, 518055, China) ,  Zhen Liang (MOE Key Laboratory of Micro-System and Micro-Structures Manufacturing, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150080, China) ,  Xu Cheng-Yan (Sauvage Laboratory for Smart Materials, School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Shenzhen, Shenzhen, 518055, China) ,  Xu Cheng-Yan (MOE Key Laboratory of Micro-System and Micro-Structures Manufacturing, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150080, China)
資料名： Small  (Small)
巻： 18  号： 5  ページ： e2104401  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2348A  ISSN： 1613-6810  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2D van der Waals(vdW)半導体は,より多くのMoore電界効果トランジスタ(FET)に対して大きなポテンシャルを持ち,それらの理論的性能の効率的な利用は,高いゲート結合効率を保証するために,互換性の高いk誘電体を必要とする。2D材料上の従来の高k誘電体酸化膜の堆積は,通常,界面関心事を生成し,それによって,キャリア散乱とデバイス性能の変性を引き起こす。ここでは,空間閉じ込めエピタキシー成長アプローチを利用して,空気安定超薄インジウムリンスルフィド(In_2P_3S_9)ナノシートを得て,その厚さを,その層状構造により,単分子層限界(≒0.69nm)まで縮小できた。2D In_2P_3S_9は,室温で高い誘電定数(≒24)と大きな絶縁破壊電圧(≒8.1MV cm-1)を有する優れた絶縁特性を示す。ゲート絶縁体として,超薄In_2P_3S_9ナノシートを,高品質誘電体/半導体界面を有するMoS_2FETに統合でき,従って,88mVdec-1までのサブ閾値スイング(SS)と105の高いON/OFF比を有するデバイスの競合電気性能を提供した。本研究は,2DvdW高k誘電体を調製するための重要な戦略を証明し,機能的エレクトロニクスのための2D材料の進行中の研究を大いに促進する。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エピタクシー ,  界面 ,  半導体 ,  *誘電体 ,  誘電率 ,  互換性 ,  酸化膜 ,  FET【トランジスタ】 ,  単分子層 ,  電子技術 ,  *二次元 ,  室温 ,  ゲート【半導体】 ,  キャリア散乱 ,  ナノシート

著者キーワード (4件)： 2D materials ,  field-effect transistors ,  high-k dielectrics ,  van der Waals materials

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  静電機器  (NB10020R)

タイトルに関連する用語 (3件)： 2D ,  VAN ,  高k誘電体