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J-GLOBAL ID:202202218535935110   整理番号:22A1047579

JanusアルミニウムオキシスルフィドAl_2OS:強い可視光捕集を有する有望な2D直接半導体光触媒【JST・京大機械翻訳】

Janus Aluminum Oxysulfide Al2OS: A promising 2D direct semiconductor photocatalyst with strong visible light harvesting
著者 (11件):
資料名:
巻: 589  ページ: Null  発行年: 2022年 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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太陽光駆動水解離による水素生産は,現在のエネルギー危機を解決するだけでなく,環境問題を克服するための人工で効果的なプロセスと考えられている。この点に関して,多くの研究が,水分解のための条件を満たし,光触媒プロセスを理解する適切な光触媒の開発に主に向けられている。本研究では,第一原理計算による水素製造H_2のための効率的な光触媒材料として,2次元JanusアルミニウムオキシスルフィドAl_2OSの潜在的応用を初めて提案した。JanusAl_2OS単分子層を,硫化物原子(S)の1つのサブ層を酸素原子(O)に置換することにより,親の二元硫化アルミニウムAlSから設計した。元のAlSと誘導JanusAl_2OSの電子特性をGGA-PBEとHSE06汎関数を用いて計算した。バンド構造によると,AlS単分子層は2.14eVの間接バンドギャップを持つ半導体挙動を示し,一方,JanusAl_2OSは1.579eVの直接バンドギャップを示した。Janus Al_2OSの望ましいバンドギャップにより,Janus Al_2OSの吸収係数は,親のAlSと比較して強い可視光収穫を示した。さらに,Al_2OSの光触媒性能を調べた。著者らの計算は,Al_2OSのバンド端位置が水素発生反応(HER)に適していることを示した。より重要なことに,反応座標に基づいて,Al_2OSのGibbs自由エネルギーΔGH*は,最近報告された2次元JanusGa_2XY(X,Y=S,Se,Te)より小さい0.97eVであることが分かった。さらに,この値は0.5V/Åの外部電場の下で0.97eVから0.69eVに減少した。著者らの結果は,Janus Al_2OSが可視光下で効率的な光触媒に対する基本的要求を満たし,水分解による水素生産の新しい指針を提供することを示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (3件):
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光化学一般  ,  下水,廃水の化学的処理  ,  光化学反応 
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