文献

J-GLOBAL ID：202202218995196531   整理番号：22A0579159

三次元IC構造における熱収集ネットワークの設計と実装【JST・京大機械翻訳】

Design and implementation of thermal collection networks in 3-D IC structures

著者 (2件)： Patil Chandrashekhar V. (Department of Electronics and Communication Engineering, B.M.S. College of Engineering, Visveswaraya Technological University, Bangalore, 560019, India) ,  Suma M.S. (Department of Medical Electronics Engineering, B.M.S. College of Engineering, Visveswaraya Technological University, Bangalore, 560019, India)
資料名： Heliyon  (Heliyon)
巻： 8  号： 1  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W3098A  ISSN： 2405-8440  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エレクトロニクス産業における経験的確認は,単位面積当たりのチップの電力が指数的に成長していることである。発生した熱の量は電力に等しい。したがって,単位面積当りの電力が増加するので,チップ内で発生する熱の量も増加する。したがって,電子システムの熱問題を緩和する必要がある。対処または抑制されないならば,熱問題は,絶縁破壊,エレクトロマイグレーション,材料クリープ,望ましくない化学反応,ボード反り,性能のドリフト,および間接加熱を含む様々な問題につながる。本研究では,電子チップのライン領域のバックエンドにおける専用熱収集ネットワーク(TCN)を研究した。このネットワークは,熱-シンク-ファンアセンブリに熱エネルギーを励起するために,(TTSV)を介して熱をシリコンを介して接続するのを助けることができる。ソースからのプリエンプティング熱は,チップおよび三次元集積回路(3-D IC)構造で生じる熱問題を管理することができた。有限要素法は解析に用いたツールであった。モノリシックICのTCNsにおける熱吸引の31.62%,3-D IC構造のTCNにおける11.36%,およびTTSVの接合における熱吸引の35.34%は,ここで用いた仮定のない異なるアプローチと比較して,TTSVsの接合における熱吸引の35.34%であった。この手順は,電子チップと3-D IC構造を再設計するための新しい経路につながることが期待される。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： クリープ ,  集積回路 ,  絶縁破壊 ,  有限要素法 ,  電力 ,  *ネットワーク ,  化学反応 ,  ケイ素 ,  半導体集積回路 ,  電子技術 ,  電子装置 ,  *三次元 ,  エレクトロマイグレーション ,  半導体チップ
準シソーラス用語： 熱エネルギー ,  三次元集積回路 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 熱効率の係数 ,  モノリシック3-D IC ,  熱収集ネットワーク ,  熱完全性 ,  熱抵抗

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  プリント回路  (NA05040O)

タイトルに関連する用語 (4件)： IC ,  収集 ,  設計 ,  実装