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J-GLOBAL ID：202202219529228592   整理番号：22A0801412

臨界角でのCイオン注入によるZnO薄膜の光吸収,バンドギャップおよび表面粗さの好ましい同調【JST・京大機械翻訳】

Favourable tuning of optical absorbance, bandgap and surface roughness of ZnO thin films by C ion implantation at the critical angle

著者 (4件)： Hariwal Rajesh V. (Inter-University Accelerator Centre, Aruna Asaf Ali Marg, New Delhi 110067, India) ,  Malik Hitendra K. (Plasma Waves and Particle Acceleration Laboratory, Department of Physics, Indian Institute of Technology Delhi, New Delhi 110016, India) ,  Negi Ambika (Department of Physics, Acharya Narendra Dev College, University of Delhi, Delhi 110019, India) ,  Asokan K. (Inter-University Accelerator Centre, Aruna Asaf Ali Marg, New Delhi 110067, India)
資料名： Applied Surface Science Advances  (Applied Surface Science Advances)
巻： 7  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W6426A  ISSN： 2666-5239  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 角度の精巧な制御による低エネルギーイオン注入は,薄膜の応用を操作する。ここでは,3つの異なる傾斜角0°,30°および60°でのZnO薄膜上への50keV炭素イオン注入の好ましい効率的な戦略を示した。これは,光吸収,バンドギャップ,粒径および表面粗さの調整において,同時に重要な役割を果たす。TRIMシミュレーションを実行し,理論的理解を解明し,異なるキャラクタリゼーションツールを用いて物理的性質の修正を比較した。これらの実験結果は,30°のイオン注入が,これらの薄膜の表面粗さの25%の改善とともに,粒径の89%と光透過率の35%の減少をもたらすことを実証した。光学バンドギャップも3.27から3.20eVに調整した。これらの結果は,より低い粒径,低いバンドギャップおよびより滑らかな表面を有するエキゾチック材料を設計する新しいアプローチを確立し,これは,データ蓄積容量の増加およびUV光放出の低減によるより高いエネルギー効率を得ることを助けるであろう。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 紫外線 ,  シミュレーション ,  *薄膜 ,  *光吸収 ,  *イオン注入 ,  粒径 ,  表面粗さ ,  透過率 ,  傾斜角 ,  キャラクタリゼーション ,  光学ギャップ ,  *バンドギャップ ,  吸光度
準シソーラス用語： 低エネルギー ,  *臨界角 ,  光透過率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： 低エネルギーイオン注入 ,  臨界角 ,  薄膜 ,  バンドギャップ ,  光学的吸光度 ,  粒径 ,  表面粗さ

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  その他の物質の放射線による構造と物性の変化  (BK16124V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 臨界角 ,  イオン注入 ,  ZnO薄膜 ,  光吸収 ,  バンドギャップ ,  表面粗さ ,  同調