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J-GLOBAL ID:202202219612637849   整理番号:22A0482714

セル内エントロピー符号ベース安定化による二重エントロピー重畳PUF【JST・京大機械翻訳】

A Dual-Entropy-Superposed PUF With In-Cell Entropy Sign-Based Stabilization
著者 (4件):
資料名:
巻: 69  号:ページ: 284-296  発行年: 2022年 
JST資料番号: C0226B  ISSN: 1549-8328  CODEN: ITCSCH  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,2トランジスタ電圧基準(2T-VR)と4段階ダイオードクランプコンパレータの二重エントロピー源に基づく,新しい物理的非クローニング機能(PUF)を示した。広範囲の供給電圧と温度にわたって優れた安定性を飽和し,提案した2T-VRを,その温度係数を最小化するために補償された1つのネイティブトランジスタと1つのPMOSトランジスタで構築した。さらに,以前のエントロピー段階からミスマッチ電圧/電流をディジタル化するために,オフセット-キャンセル化を有するディジタルコンパレータを必要とするほとんどの以前のPUF実装とは異なり,本研究では,カスタム化ダイオードクランプコンパレータのオフセットは,追加のエントロピー源としてよく展開され,これは,全体のPUF構造の信頼性を著しく高めるために,上記の2T-VRベースエントロピーに重畳できる。さらに,ゼロオーバーヘッドセル内エントロピー符号ベース安定化(ESS)スキームを提案し,逆符号を持つ二重エントロピー源によるシナリオの安定化により信頼性をさらに強化した。設計した二重エントロピー重畳PUFを65nm標準CMOSプロセスを用いて製作し,その優れたランダム性を,広く受け入れられた国立標準技術研究所(NIST)PUB800-22/800-90Bおよび自己相関関数(ACF)試験ツールを用いて検証した。テストチップを4000回まで通常条件で繰り返しチャレンジして,測定したネイティブビットエラー率(BER)と不安定なビットは,それぞれ0.16%と1.3%であると報告した。さらに,動作温度を-50°Cから130°Cに変更し,供給電圧を0.8Vから1.4Vに変化させると,安定化のない固有BERのVT感度は,それぞれ0.195%/10°Cと0.651%/0.1Vと測定され,提案したESSスキームで4.5×1.5×さらに低減できた。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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その他の電子回路  ,  半導体集積回路 
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