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J-GLOBAL ID:202202219684049064   整理番号:22A0567548

高性能スーパーキャパシタのためのステップバイステップ誘導体化法により調製した中空NiCoSe_2/C【JST・京大機械翻訳】

Hollow NiCoSe2/C prepared through a step-by-step derivatization method for high performance supercapacitors
著者 (7件):
資料名:
巻: 905  ページ: Null  発行年: 2022年 
JST資料番号: D0037A  ISSN: 1572-6657  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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高性能スーパーキャパシタ電極としてステップバイステップ誘導体化法により調製した中空NiCoSe_2/Cについて報告する。典型的なゼオライトイミダゾラート骨格(ZIF-67)から誘導した中空ニッケル-コバルト二金属層状水酸化物(NiCo-LDH)をin situセレニル化によりNiCoSe_2にセレン化し,次に炭素源としてグルコースを用いて水熱法により炭素層で被覆した。合成したままのNiCoSe_2/Cの電気化学的性能を調べ,その結果,中空NiCoSe_2/Cは,1Ag-1で232.6mAhg-1,72.6%の良好なレート能力,5000サイクル後に88.3%の高い容量保持率を示した。ZIF-67,NiCo-LDHおよびNiCoSe_2と比較して,NiCoSe_2/Cの非常に強化された電気化学的性能は,NiCoSe_2の中空ナノ構造,SeとCの導入による電気伝導率の向上,および炭素層の保護からのレドックスサイクル中の体積変化の阻害に起因する。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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静電機器  ,  電気化学反応 
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