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J-GLOBAL ID：202202219792127640   整理番号：22A0004660

垂直歪によるJanus MoSeTeおよびWSeTe van der Waalsヘテロ構造におけるRashbaスピン分裂の調整【JST・京大機械翻訳】

Tuning the Rashba spin splitting in Janus MoSeTe and WSeTe van der Waals heterostructures by vertical strain

著者 (2件)： Rezavand Amirhossein (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Zanjan, Zanjan, P.O.Box, 45371-38791, Iran) ,  Ghobadi Nayereh (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Zanjan, Zanjan, P.O.Box, 45371-38791, Iran)
資料名： Journal of Magnetism and Magnetic Materials  (Journal of Magnetism and Magnetic Materials)
巻： 544  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0644A  ISSN： 0304-8853  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,垂直歪下の二層MoSeTe,二層WSeTeおよびMoSeTe/WSeTe van der Waalsヘテロ構造の5種類の積層秩序の電子およびスピントロニクス特性を第一原理計算を用いて調べた。二層WSeTeが最も安定な材料であり,AAとABスタックパターンが最も安定な形態であることが観察された。構造のバンドギャップは圧縮歪の増加により減少する傾向があり,半導体から金属への転移は特定の圧縮歪下で起こる。考察されたJanus TMD化合物では,明白な面外非対称性が固有電位差を与え,価電子帯のΓ点においてRashba型スピン分裂を誘起する。さらに,垂直歪は,異なる積層パターンにおけるRashba係数値をかなり改善できる。最後に,著者らの結果は,スピントロニクスデバイスへの応用のためのWSeTe/MoSeTe,二層MoSeTeおよび二層WSeTe化合物の電子およびスピントロニクス特性の完全な理解を導くことができた。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 半導体 ,  非対称性 ,  価電子バンド ,  バンドギャップ ,  *スピントロニクス
準シソーラス用語： 電位差 ,  圧縮歪 ,  *ヘテロ構造 ,  第一原理計算 ,  二層 ,  *スピン分裂 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Rashba spin splitting ,  Janus transition-metal dichalcogenides ,  Van der Waals heterostructures ,  Vertical strain ,  Density functional theory

分類 (1件)： その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 垂直歪 ,  VAN ,  ヘテロ構造 ,  スピン分裂