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J-GLOBAL ID：202202219841410212   整理番号：22A0909950

周期的容量負荷進行波電極を用いたシリコン基板上の高性能薄膜ニオブ酸リチウム変調器【JST・京大機械翻訳】

High performance thin-film lithium niobate modulator on a silicon substrate using periodic capacitively loaded traveling-wave electrode

著者 (11件)： Chen Gengxin (State Key Laboratory for Modern Optical Instrumentation, Centre for Optical and Electromagnetic Research, International Research Center for Advanced Photonics, East Building No. 5, Zijingang Campus, Zhejiang University, Hangzhou 310058, China) ,  Chen Kaixuan (Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology, South China Academy of Advanced Optoelectronics, Sci. Bldg. No. 5, South China Normal University, Higher-Education Mega-Center, Guangzhou 510006, China) ,  Gan Ranfeng (Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology, South China Academy of Advanced Optoelectronics, Sci. Bldg. No. 5, South China Normal University, Higher-Education Mega-Center, Guangzhou 510006, China) ,  Ruan Ziliang (State Key Laboratory for Modern Optical Instrumentation, Centre for Optical and Electromagnetic Research, International Research Center for Advanced Photonics, East Building No. 5, Zijingang Campus, Zhejiang University, Hangzhou 310058, China) ,  Wang Zong (Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology, South China Academy of Advanced Optoelectronics, Sci. Bldg. No. 5, South China Normal University, Higher-Education Mega-Center, Guangzhou 510006, China) ,  Huang Pucheng (Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology, South China Academy of Advanced Optoelectronics, Sci. Bldg. No. 5, South China Normal University, Higher-Education Mega-Center, Guangzhou 510006, China) ,  Lu Chao (Photonics Research Center, Department of Electronic and Information Engineering, The Hong Kong Polytechnic University, Hong Kong, China) ,  Lau Alan Pak Tao (Photonics Research Center, Department of Electrical Engineering, The Hong Kong Polytechnic University, Hong Kong, China) ,  Dai Daoxin (State Key Laboratory for Modern Optical Instrumentation, Centre for Optical and Electromagnetic Research, International Research Center for Advanced Photonics, East Building No. 5, Zijingang Campus, Zhejiang University, Hangzhou 310058, China) ,  Guo Changjian (Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology, South China Academy of Advanced Optoelectronics, Sci. Bldg. No. 5, South China Normal University, Higher-Education Mega-Center, Guangzhou 510006, China) ,  Liu Liu (State Key Laboratory for Modern Optical Instrumentation, Centre for Optical and Electromagnetic Research, International Research Center for Advanced Photonics, East Building No. 5, Zijingang Campus, Zhejiang University, Hangzhou 310058, China)
資料名： APL Photonics (Web)  (APL Photonics (Web))
巻： 7  号： 2  ページ： 026103-026103-8  発行年： 2022年 
JST資料番号： U7124A  ISSN： 2378-0967  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄膜ニオブ酸リチウム(TFLN)ベースの進行波変調器は,大きな変調帯域幅,高い消光比,低い光損失,および高い変調効率を含む,同時に優れた性能を維持する。それにもかかわらず,駆動電圧と変調帯域幅の間にバランスが存在する。ここでは,周期的容量負荷進行波電極を用いて,シリコン基板上のTFLNプラットフォームに基づく駆動電圧を損なうことなく,超広帯域電気光学変調器を実証した。低速波効果を補償するために,シリコン基板のためのアンダーカットエッチング技術を導入して,マイクロ波屈折率を減少させた。著者らの実証デバイスは,低い光学的および低いマイクロ波損失の両方を示し,それは0.2dBの無視できる光学的挿入損失および10mm長のデバイスに対して67GHzで1.4dBのロールオフを有する大きな電気光学帯域幅をもたらした。また,2.2Vの低い半波電圧を達成した。PAM-4変調による112Gbs-1までのデータ速度を実証した。提案した変調器のシリコンフォトニクスへの適合性は,例えば,ハイブリッド集積技術を用いて,成熟したシリコンフォトニック部品との統合を促進する。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 屈折率 ,  電圧 ,  *薄膜 ,  マイクロ波 ,  *電極 ,  *変調器 ,  *進行波 ,  挿入損 ,  帯域幅 ,  *ニオブ酸リチウム ,  広帯域
準シソーラス用語： ロールオフ ,  駆動電圧 ,  シリコンフォトニクス ,  変調帯域幅 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 光変調器  (BD06020W)

タイトルに関連する用語 (7件)： 容量負荷 ,  進行波 ,  シリコン基板 ,  高性能 ,  薄膜 ,  ニオブ酸リチウム ,  変調器