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J-GLOBAL ID：202202219884972053   整理番号：22A0829738

シェル形態制御によるInP/ZnSe/ZnS量子ドットのホットキャリア動力学の調整【JST・京大機械翻訳】

Tuning Hot Carrier Dynamics of InP/ZnSe/ZnS Quantum Dots by Shell Morphology Control

著者 (6件)： Park Jumi (Department of Chemistry, Yonsei University, 50 Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul, 03722, Republic of Korea) ,  Won Yu-Ho (Samsung Advanced Institute of Technology, Samsung Electronics, 130 Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, 16678, Republic of Korea) ,  Han Yongseok (Samsung Advanced Institute of Technology, Samsung Electronics, 130 Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, 16678, Republic of Korea) ,  Kim Hyun-Mi (Korea Electronics Technology Institute, 25 Saenari-ro, Bundang-gu, Seongnam-si, Gyeonggi-do, 13509, Republic of Korea) ,  Jang Eunjoo (Samsung Advanced Institute of Technology, Samsung Electronics, 130 Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, 16678, Republic of Korea) ,  Kim Dongho (Department of Chemistry, Yonsei University, 50 Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul, 03722, Republic of Korea)
資料名： Small  (Small)
巻： 18  号： 8  ページ： e2105492  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2348A  ISSN： 1613-6810  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 等方性InP/ZnSe/ZnS量子ドット(QDs)を高反応温度で調製し,InPコアのランダムファセット上のZnSeシェル成長を容易にした。高速結晶成長は積層欠陥除去を可能にし,異方性成長を誘起し,結果として光ルミネセンス(PL)量子収率を約20%改善する。ここでは,PL結合と超高速電荷キャリア動力学を観察することにより,光物理特性に対するQD形態の影響を調べた。ホットホールトラッピングは等方性InP QDにおいてかなり抑制され,異方性InP/ZnSe構造における積層欠陥がルミネセンスの欠陥として作用することを示した。これらの結果は,QD形状とホットキャリア動力学の間の相関の理解の重要性を強調し,さらに有望なディスプレイ用途のための高発光QDを設計する方法を提示する。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結晶成長 ,  電荷 ,  発光 ,  光ルミネセンス ,  量子収量 ,  ルミネセンス ,  *硫化亜鉛 ,  *リン化インジウム ,  表示装置 ,  *セレン化亜鉛 ,  *ホットキャリア ,  積層欠陥 ,  *量子ドット
準シソーラス用語： トラッピング ,  *キャリア動力学 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 電荷キャリア動力学 ,  結晶構造 ,  InP/ZnSe/ZnS ,  量子ドット ,  シェル形態 ,  構造欠陥

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： シェル ,  形態制御 ,  InP ,  ZnSe ,  ZnS ,  量子ドット ,  キャリア動力学