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J-GLOBAL ID：202202219894273307   整理番号：22A0442384

BiVO_4光アノードの表面電荷移動効率を大幅に改善するための超高速正孔輸送チャネルとしての酸素空孔豊富な炭素量子ドット【JST・京大機械翻訳】

Oxygen vacancy-abundant carbon quantum dots as superfast hole transport channel for vastly improving surface charge transfer efficiency of BiVO₄ photoanode

著者 (7件)： Zhou Tingsheng (School of Environmental Science and Engineering, Key Laboratory of Thin Film and Microfabrication Technology (Ministry of Education), Shanghai Jiao Tong University, No. 800 Dongchuan Rd., Shanghai 200240, PR China) ,  Wang Jiachen (School of Environmental Science and Engineering, Key Laboratory of Thin Film and Microfabrication Technology (Ministry of Education), Shanghai Jiao Tong University, No. 800 Dongchuan Rd., Shanghai 200240, PR China) ,  Zhang Yan (School of Environmental Science and Engineering, Key Laboratory of Thin Film and Microfabrication Technology (Ministry of Education), Shanghai Jiao Tong University, No. 800 Dongchuan Rd., Shanghai 200240, PR China) ,  Zhou Changhui (School of Environmental Science and Engineering, Key Laboratory of Thin Film and Microfabrication Technology (Ministry of Education), Shanghai Jiao Tong University, No. 800 Dongchuan Rd., Shanghai 200240, PR China) ,  Bai Jing (School of Environmental Science and Engineering, Key Laboratory of Thin Film and Microfabrication Technology (Ministry of Education), Shanghai Jiao Tong University, No. 800 Dongchuan Rd., Shanghai 200240, PR China) ,  Li Jinhua (School of Environmental Science and Engineering, Key Laboratory of Thin Film and Microfabrication Technology (Ministry of Education), Shanghai Jiao Tong University, No. 800 Dongchuan Rd., Shanghai 200240, PR China) ,  Zhou Baoxue (School of Environmental Science and Engineering, Key Laboratory of Thin Film and Microfabrication Technology (Ministry of Education), Shanghai Jiao Tong University, No. 800 Dongchuan Rd., Shanghai 200240, PR China)
資料名： Chemical Engineering Journal  (Chemical Engineering Journal)
巻： 431  号： P4  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0723A  ISSN： 1385-8947  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電極/電解質界面での正孔抽出と移動の効率は,光電気化学(PEC)水分解のためのBiVO_4光アノードの最も重要なボトルネックの1つである。ここでは,O_V-CQDsが,O_V-CQDの豊富なO_Vが電極/電解質界面での正孔トラッピングと移動の外向き駆動力を誘起するという事実のための超高速正孔輸送チャネルとして機能する,酸素空孔豊富な炭素量子ドット(O_V-CQDs)の表面修飾により,BiVO_4光アノードの表面電荷移動効率(η_surface)の大きな改善を達成した。O_V-CQDs/BiVO_4は,0.65V vs.RHE(V_RHE)で74.3%のη_表面値を示し,これはBiVO_4とCQDs/BiVO_4よりそれぞれ7.1と3.3倍高かった。さらに,O_V-CQDsはBiVO_4のバルク電荷分離とUV-vis光捕集を効率的に促進する。従って,O_V-CQDs/BiVO_4は,0.65V_RHEで2.76mAcm-2,1.23V_RHEで4.01mAcm-2という顕著な光電流密度を示し,これは,それぞれ,BiVO_4より12.5と3.4倍高く,CQDs/BiVO_4より3.5と2.6倍高かった。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  *正孔 ,  *炭素 ,  電流密度 ,  電解質 ,  *表面電荷 ,  光電気化学 ,  *量子ドット ,  電荷分離 ,  駆動力
準シソーラス用語： *正孔輸送 ,  トラッピング ,  *酸素空格子点 ,  水分解 ,  *光アノード , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： BiVO_4光アノード ,  OV-CQD ,  ホール輸送チャネル ,  表面電荷移動効率 ,  OER動力学

分類 (1件)： 光化学一般  (CB08010U)

タイトルに関連する用語 (6件)： 光アノード ,  表面電荷 ,  正孔輸送 ,  チャネル ,  酸素空孔 ,  炭素量子ドット