文献

J-GLOBAL ID：202202220320725955   整理番号：22A0685198

地球豊富Cu_3SbS_4における熱電性能の戦略的増強のための非晶質炭素ナノ介在物【JST・京大機械翻訳】

Amorphous carbon nano-inclusions for strategical enhancement of thermoelectric performance in Earth-abundant Cu₃SbS₄

著者 (8件)： Theja Vaskuri C.S. (Department of Materials Science and Engineering, City University of Hong Kong, Kowloon Tong, Hong Kong) ,  Karthikeyan Vaithinathan (Department of Materials Science and Engineering, City University of Hong Kong, Kowloon Tong, Hong Kong) ,  Yeung Chi-Chung (Department of Chemistry, City University of Hong Kong, Kowloon Tong, Hong Kong) ,  Yeung Chi-Chung (Portalyze Point of Care Limited, Hong Kong Science and Technology Park, Pak Shek Kok, Hong Kong) ,  Venkatesh Shishir (Portalyze Point of Care Limited, Hong Kong Science and Technology Park, Pak Shek Kok, Hong Kong) ,  Venkatesh Shishir (State Key Laboratory for Millimeter and Terahertz Waves, City University of Hong Kong, Kowloon Tong, Hong Kong) ,  Nayak Sanjib (Department of Physics, Indian Institute of Technology Madras, Chennai, India) ,  Roy Vellaisamy A.L. (James Watt School of Engineering, University of Glasgow, Glasgow, United Kingdom)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 900  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu_3SbS_4は,中間温度応用のための有効,低コストおよび非毒性熱電化合物である。しかし,その正方晶構造は,熱伝導率を減らし,zTを高めるために,効率的なフォノン散乱のために調整する必要がある。本論文では,Cu_3SbS_4熱電性能に及ぼす半導体カーボンブラックナノ介在物効果を調べた。作製した試料の熱電特性を300~623Kの温度範囲で調べた。Cu_3SbS_4中の非晶質炭素ナノ介在物の添加は,フォノン散乱による熱伝導率の減少とキャリアエネルギーフィルタリング機構によるSeebeck係数の改善を引き起こす。623Kで3mol%の炭素ナノ介在物試料で0.51の最大性能指数を得た。さらに,増加した炭素ナノ介在物濃度による熱安定性と機械的安定性(硬度)の向上が観察された。粒界硬化と分散強化が強化の理由であることが分かった。さらに,著者らの詳細な研究は,Cu_3SbS_4中のカーボンナノ介在物の添加が,効率的で,非毒性で安価な最先端の熱電デバイスを製造できることを示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 温度 ,  結晶粒界 ,  散乱 ,  熱伝導率 ,  半導体 ,  分散強化 ,  *炭素 ,  *地球 ,  熱電素子 ,  電気特性 ,  正方晶系 ,  輸送係数 ,  *介在物
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  温度範囲 ,  フォノン散乱 ,  *アモルファスカーボン ,  熱電特性 ,  中間温度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Cu_3SbS_4 ,  炭素 ,  ナノ介在物 ,  熱電 ,  熱伝導率

分類 (1件)： 熱電デバイス  (NC03090J)

タイトルに関連する用語 (5件)： 地球 ,  戦略 ,  増強 ,  非晶質炭素 ,  介在物