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J-GLOBAL ID：202202220547629701   整理番号：22A0429988

サブ化学量論的光触媒Cu_4Se_6の結晶構造と電子構造:DFT研究【JST・京大機械翻訳】

Crystal and electronic structure of the sub-stoichiometric photocatalyst Cu₄Se₆: DFT study

著者 (3件)： Kevorkyants Ruslan (Hong Kong Institute for Advanced Study, City University of Hong Kong, Kowloon, Hong Kong SAR, 999077, China) ,  Farooq Saima (Department of Biological Sciences and Chemistry, College of Arts and Sciences, University of Nizwa, POBox33, PC 616, Oman) ,  Tizaoui Chedly (College of Engineering, Bay Campus, Swansea University, Swansea, SA1 8EN, United Kingdom)
資料名： Journal of Physics and Chemistry of Solids  (Journal of Physics and Chemistry of Solids)
巻： 162  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0202A  ISSN： 0022-3697  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 地球に豊富な先進機能材料であるセレン化銅は,それらの実質的な吸収特性と構造多様性のために,最も重要な重要性を持っている。本研究では,仮想可視光光触媒Cu_4Se_6の結晶と電子構造を密度汎関数理論(DFT)計算により系統的に研究した。親の元のCuSe(P6_3/mmc)化合物の原始ユニットセルを,ほとんどの5つの対称性の銅欠乏Cu_4Se_6多形体で構築できた。PBE(Perdew-Burke-Ernzerhof)密度汎関数によるDFT計算は,潜在的光触媒としてそれらの2つ(P6_3/mcとP6_3/mmc)を同定した。それらの電子構造の正確な記述はスピン-軌道結合(SOC)の包含を必要とすることが分かった。電子構造に対する温度効果を,均一結晶格子膨張/収縮(<5%)によりモデル化した。計算したPBE+SOCバンドギャップ最大1.57eV(P6_3/mc)と1.41eV(P6_3/mmc)は,それぞれ4%と3%の格子膨張に対応する。P6_3/mc Cu_4Se_6多形は2.56eVのP6_3/mmc対応物よりもエネルギーが低いので,前者が実際の実験で優先的に形成されると結論した。本研究は,Cu_2-xSe族からの新しい光触媒の設計に役立つであろう。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *結晶構造 ,  対称性 ,  *電子構造 ,  地球 ,  温度依存性 ,  *化学量論 ,  結晶格子 ,  可視光 ,  密度汎関数法 ,  セレン化銅 ,  *光触媒 ,  銅欠乏 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： L-S結合 ,  格子膨張 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 光触媒 ,  DFT ,  Cu_2-xSe_xSe ,  電子構造 ,  分子モデリング

分類 (4件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J) ,  光化学一般  (CB08010U) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： サブ ,  光触媒 ,  結晶構造 ,  電子構造 ,  DFT ,  研究