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J-GLOBAL ID：202202220760441152   整理番号：22A0909047

MoSi_2N_4/GaNとMoSi_2N_4/ZnO van der Waalsヘテロ構造の調整可能な電子特性とバンドアラインメント【JST・京大機械翻訳】

Tunable electronic properties and band alignments of MoSi₂N₄/GaN and MoSi₂N₄/ZnO van der Waals heterostructures

著者 (4件)： Ng Jin Quan (Science, Mathematics and Technology, Singapore University of Technology and Design (SUTD), 8 Somapah Road, Singapore 487372, Singapore) ,  Wu Qingyun (Science, Mathematics and Technology, Singapore University of Technology and Design (SUTD), 8 Somapah Road, Singapore 487372, Singapore) ,  Ang L. K. (Science, Mathematics and Technology, Singapore University of Technology and Design (SUTD), 8 Somapah Road, Singapore 487372, Singapore) ,  Ang Yee Sin (Science, Mathematics and Technology, Singapore University of Technology and Design (SUTD), 8 Somapah Road, Singapore 487372, Singapore)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 120  号： 10  ページ： 103101-103101-7  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Van de Waalsヘテロ構造(VDWH)は,二次元(2D)材料系の電子物性を工学する新たな戦略である。例外的な機械的及び電子的特性を有するMoSi_2N_4-a合成セプタプル層状2D半導体の最近の発見に動機を得て,第一原理計算を用いて,GaN及びZnOのワイドバンドギャップ(WBG)2D単層とMoSi_2N_4の相乗作用を調べた。MoSi_2N_4/GaNは直接バンドギャップタイプI VDWHであり,一方MoSi_2N_4/ZnOは間接バンドギャップタイプII VDWHであった。興味深いことに,面外方向に沿って電場または機械的歪を適用することにより,MoSi_2N_4/GaNおよびMoSi_2N_4/ZnOのバンド構造は実質的に修正され,タイプI型からタイプIIバンド配列および直接間接バンドギャップ遷移のような豊富な遷移挙動を示した。これらの知見から,MoSi_2N_4系WBG VDWHの,超コンパクトオプトエレクトロニック応用における大きな設計柔軟性を有する調整可能なハイブリッド材料としての可能性が明らかになった。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： バンド構造 ,  電場 ,  半導体 ,  *酸化亜鉛 ,  相乗作用 ,  *素子構造 ,  二次元 ,  *窒化ガリウム ,  単一層
準シソーラス用語： ワイドバンドギャップ ,  *ヘテロ構造 ,  第一原理計算 ,  電子物性 ,  間接バンドギャップ ,  *バンドアライメント ,  直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  ZnO ,  VAN ,  ヘテロ構造 ,  電子 ,  バンドアラインメント