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J-GLOBAL ID:202202220956181901   整理番号:22A0807623

化学浴析出により調製したZnSへの吸着/光電気化学によるニッケル除去【JST・京大機械翻訳】

Nickel Removal by Adsorption/Photoelectrochemistry on ZnS Prepared by Chemical Bath Deposition
著者 (5件):
資料名:
巻:号:ページ: 45-53  発行年: 2022年 
JST資料番号: W5019A  ISSN: 2364-5687  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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ニッケルは種々の鉱物形態で使用される天然元素であり,その可動化は土壌の物理化学的品質によって調節される。環境へのその放出は,産業,石油と石炭燃焼発電所,および廃棄物焼却炉にリンクし,従って,空気,水,および土壌汚染の源である。これらの効果を低減するために,太陽光下の光触媒として多くの材料を用いた。候補の中で,化学浴析出(CBD)によって調製したブレンドZnSは,拡散反射率から得られた3.92eVの直接光学遷移を有するワイドバンドギャップ半導体である。X線回折パターンは,良好な結晶化を有する狭いピークを示した。ニッケル析出の光触媒特性を評価するために電気化学的に研究した。電気化学インピーダンス分光法(EIS)はUV照射下で半導体挙動を確認した。pH>7では,容量-2電位(C-2-E)プロットから決定されたその伝導バンド(-1.18V_SCE)は,Zn2+:4s軌道に由来する。この化合物はn型半導体として作用し,Ni2+(-0.59V_SCE)のレベル以下で,元素状態への自発的Ni2+還元をもたらした。Ni析出の効率は,ZnS量とpHに依存した。Ni2+光還元の最適条件を見出すために,これらのパラメータを調べた。結果は,1-h吸着/2-h太陽光後,Ni2+(100mgL-1)の高い除去効率を示し,最良のZnS線量が75mg/100mLで得られ,ニッケルの99%が自然pHで光電着された。Ni2+光還元の動力学は,89分の半光触媒寿命を有する一次モデルに従う。Copyright The Author(s), under exclusive licence to Springer Nature Singapore Pte Ltd. 2022 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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半導体薄膜 

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