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J-GLOBAL ID：202202221048537389   整理番号：22A1173843

半導体における基本的に新しいプロファイル光電効果の可能性【JST・京大機械翻訳】

The Possibility of Fundamentally New Profile Photoelectric Effects in Semiconductors

著者 (2件)： Kholodnov V. A. (Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia) ,  Kholodnov V. A. (JSC Scientific and Production Association Orion, Moscow, Russia)
資料名： Journal of Communications Technology & Electronics  (Journal of Communications Technology & Electronics)
巻： 67  号： 3  ページ： 340-343  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0625A  ISSN： 1064-2269  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体におけるキャリアの光発生速度の密度の電場に沿った不均一性の特定のプロファイルに対して,3つの予想外の効果が現れることが理論的に示された。これらは自己増幅とキャリアの光発生速度の密度の自己消火と,その符号の自己反転である。この効果は局所光誘起空間電荷に起因する。プロファイルの形状は半導体のパラメータ,電場の強さ,および温度に依存する。三つのタイプのプロファイルについて例を示した。Copyright Pleiades Publishing, Inc. 2022. ISSN 1064-2269, Journal of Communications Technology and Electronics, 2022, Vol. 67, No. 3, pp. 340-343. Copyright Pleiades Publishing, Inc., 2022. Russian Text Copyright The Author(s), 2021, published in Prikladnaya Fizika, 2021, No. 4, pp. 47-51. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 空間電荷 ,  *光電効果 ,  電場 ,  *半導体 ,  理論 ,  消火 ,  キャリア ,  不均一性 ,  電界強度
準シソーラス用語： 自己増幅 ,  光誘起 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (2件)： 光誘起空間電荷 ,  光発生プロファイル

分類 (1件)： 非線形光学  (BD05000T)

タイトルに関連する用語 (3件)： プロファイル ,  光電効果 ,  可能性