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J-GLOBAL ID:202202221204530919   整理番号:22A0490647

SMART鋳造単結晶,Czochralskiおよび高性能多結晶シリコンからのp型PERCセルにおける適応焼成プロセスを介したLeTID緩和【JST・京大機械翻訳】

LeTID mitigation via an adapted firing process in p-type PERC cells from SMART cast-monocrystalline, Czochralski and high-performance multicrystalline silicon
著者 (12件):
資料名:
巻: 30  号:ページ: 123-131  発行年: 2022年 
JST資料番号: W0463A  ISSN: 1062-7995  CODEN: PPHOED  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,人工的に制御された欠陥技術(SMART)単結晶シリコン,磁気的に成長した,および従来のCzochralski(mCzとCz)シリコン,および高性能多結晶(hpm)シリコンのためのシード操作で作られたウエハに基づいて,不動態化エミッタと背面セル(PERC)を分析した。すべてのウエハは,ランダムピラミッドの代わりに酸性テクスチャを受けたhpmウエハを除き,同一に加工した。21.4%のSMART細胞のエネルギー変換効率ηはmCz細胞(21.5%)と類似しているが,hpm細胞より[数式:原文を参照]より高い。さらに,著者らは,光および高温誘起劣化(LeTID)が,産業生産で使用できるより遅い焼成ランプを取り入れた,適応高速燃焼プロセスによる初期効率の著しい損失なしに,hpm,CzおよびSMART PERC細胞において緩和されることを初めて示した。これらのランプで燃焼されたセルは,1100時間,75°Cと0.15太陽照明でのLeTID試験の間に,顕著な効率損失([数式:原文を参照])を示さないが,一方,参照高速燃焼プロセスは,LeTIDによる[数式:原文を参照]の効率損失をもたらす。LeTID試験の前にホウ素-酸素欠陥を再生するために処理されたCz細胞に対して,最大分解は[数式:原文を参照]から[数式:原文を参照]へ減少した。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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太陽電池 

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