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J-GLOBAL ID:202202221320693775   整理番号:22A0910126

エンジニアリング結晶粒と結晶粒界によるTa=5+ドープNa_1/2Y_1/2Cu_3Ti_4O_12セラミックスの巨大誘電特性の増強【JST・京大機械翻訳】

Enhancing giant dielectric properties of Ta5+-doped Na1/2Y1/2Cu3Ti4O12 ceramics by engineering grain and grain boundary
著者 (5件):
資料名:
巻: 105  号:ページ: 3447-3455  発行年: 2022年 
JST資料番号: C0253A  ISSN: 0002-7820  CODEN: JACTAW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ACu_3Ti_4O_12(A=Sr,Ca,Ba,Cd,およびNa_1/2Bi_1/2)セラミックの誘電特性を改善する様々な戦略が広く研究されている。しかし,損失正接(tanδ)の減少は,通常,減少した誘電率(ε′),あるいはその逆数を伴う。ここでは,Ta5+ドープNa_1/2Y_1/2Cu_3Ti_4O_12(NYCTO)セラミックにおけるtanδの同時還元でε′をかなり増加する経路を報告する。結晶粒界(GBs)に沿ったCuとTaリッチ相の偏析とわずかに増加した平均粒径を有する緻密なミクロ組織を観察した。固相反応により調製した試料は3倍以上のε′の増加を示したが,tanδは1桁減少した。GB-伝導活性化エネルギーと抵抗はGBに沿ったCu/Taリッチ相の偏析により上昇し,tanδの減少をもたらした。同時に,NYCTOセラミックの結晶粒伝導活性化エネルギーと結晶粒抵抗は,Cu+/Cu2+,Cu3+/Cu2+,およびTi3+/Ti4+比の増大によりTa5+ドーピングイオンによって減少し,界面分極とε′の増大をもたらした。結晶粒とGBの巨大誘電応答と電気的性質に及ぼすTa5+ドーパントの影響を,絶縁GB界面でのMaxwell-Wagner分極に基づき,内部障壁層キャパシタモデルに従って記述した。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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セラミック・陶磁器の製造  ,  誘電体一般 

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