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J-GLOBAL ID：202202221424941612   整理番号：22A0229656

HgIの低い電子状態に関する広範囲なスピン-軌道多参照研究【JST・京大機械翻訳】

Extensive spin-orbit multi-reference study on low-lying electronic states of HgI

著者 (6件)： Zhao Shutao (School of Physics, Shandong University, Jinan 250100, China) ,  Zhao Shutao (Key Laboratory of Functional Materials and Devices for Informatics of Anhui Higher Education Institutes, School of Physics and Electronic Science, Fuyang Normal University, Fuyang 236037, China) ,  Mo Xinyi (Key Laboratory of Functional Materials and Devices for Informatics of Anhui Higher Education Institutes, School of Physics and Electronic Science, Fuyang Normal University, Fuyang 236037, China) ,  Li Rui (Department of Physics, College of Science, Qiqihar University, Qiqihar 161006, China) ,  Guo Huijie (Department of Physics, College of Science, Qiqihar University, Qiqihar 161006, China) ,  Yan Bing (Institute of Atomic and Molecular Physics, Jilin University, Changchun 130012, China)
資料名： Journal of Quantitative Spectroscopy & Radiative Transfer  (Journal of Quantitative Spectroscopy & Radiative Transfer)
巻： 277  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0072A  ISSN： 0022-4073  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Davidson補正(+Q)とスピン-軌道結合(SOC)効果を含む多重参照配置相互作用(MRCI)法を採用して,HgIの低位状態の電子構造を計算した。14Λ-S状態のポテンシャルエネルギー曲線(PECs)を30の低位Ω状態と共に第1および第2解離限界と相関させた。束縛状態の分光定数が得られ,これは利用可能な実験値と良く一致した。計算したSOC行列要素の支援により,近傍状態に起因するC2Πの振動レベルに関する摂動を解析した。最後に,束縛状態の自然放射寿命を評価し,それは既存の測定と一致した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電子構造 ,  配置間相互作用 ,  多重化 ,  束縛状態 ,  放射寿命 ,  ポテンシャルエネルギー曲線 ,  分光定数 ,  *電子状態
準シソーラス用語： L-S結合 ,  行列要素 ,  振動レベル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： HgI ,  MRCI+Q ,  ポテンシャルエネルギー曲線 ,  分光定数 ,  放射寿命

分類 (1件)： 分子の電子構造  (BH05010Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電子状態 ,  スピン ,  軌道 ,  参照 ,  研究