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J-GLOBAL ID：202202221474461369   整理番号：22A1060470

電着ZrSe_2薄膜の形成と特性に及ぼす電解質のpHの影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of pH of the electrolyte on the formation and properties of electrodeposited ZrSe₂ thin films

著者 (2件)： Rakkini A. Panimaya Valan (National Engineering College, Kovilpatti, India; ;) ,  Mohanraj K. (Department of Physics, Manonmaniam Sundaranar University, Tirunelveli, India)
資料名： Inorganic and Nano-Metal Chemistry  (Inorganic and Nano-Metal Chemistry)
巻： 52  号： 4  ページ： 570-575  発行年： 2022年 
JST資料番号： W5880A  ISSN： 2470-1556  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ジルコニウムジセレニド薄膜を2.0~3.5の範囲の種々のpH値に対してステンレス鋼基板上に電着した。サイクリックボルタンメトリー(CV)を用いて堆積に適した堆積電位範囲を最適化した。X線回折(XRD)結果は,生成した薄膜が,ZrSe_2の2θ=43.8°(003)で六方晶構造ピークを有する多結晶であることを示した。膜の表面形態は,pHが増加するにつれて,膜の粒径が凝集により大きくなることを示した。膜の直接バンドギャップエネルギーは1.77~1.83eVの範囲であった。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  最適化 ,  電位 ,  *電着 ,  *薄膜 ,  表面構造 ,  ステンレス鋼 ,  粒径 ,  多結晶 ,  *電解質 ,  六方晶系 ,  サイクリックボルタンメトリー ,  バンドギャップ ,  pH【水素イオン指数】
準シソーラス用語： 表面形態 ,  バンドギャップエネルギー ,  直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： サイクリックボルタンメトリー ,  pH変動 ,  電着 ,  AFM ,  バンドギャップエネルギー

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電着 ,  薄膜 ,  電解質 ,  pH