文献

J-GLOBAL ID：202202221507001524   整理番号：22A0704671

磁場のない電流制御非ヒステリシス磁気スイッチング【JST・京大機械翻訳】

Current controlled non-hysteresis magnetic switching in the absence of magnetic field

著者 (5件)： Li Yanru (Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences (IMECAS), Beijing 100029, China) ,  Yang Meiyin (Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences (IMECAS), Beijing 100029, China) ,  Yu Guoqiang (Songshan Lake Materials Laboratory, Dongguan, Guangdong 523808, China) ,  Cui Baoshan (Songshan Lake Materials Laboratory, Dongguan, Guangdong 523808, China) ,  Luo Jun (Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences (IMECAS), Beijing 100029, China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 120  号： 6  ページ： 062402-062402-7  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 局所イオン注入により,垂直磁化Pt/Co/Ta多層におけるスピン-軌道トルクによる電流誘起磁気スイッチングに及ぼす横方向界面の影響を調べた。実験結果は,このシステムにおいて,電流の下の分域壁運動が,2つの機構,すなわち横方向界面での対称性破壊と電流駆動Neel壁運動によって影響を受けることを示した。支配的な機構は大(小)電流での対称性破壊(電流駆動Neel壁運動)である。これら2つの機構の競合関係により,外部磁場のない非ヒステリシス効果磁気スイッチングを得た。非ヒステリシス効果磁気スイッチングに基づいて,再設定なしでANDとOR論理ゲートを実現できる。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  *磁場 ,  *スイッチング ,  対称性 ,  *電流 ,  ヒステリシス ,  運動 ,  イオン注入 ,  電流発生 ,  *電流制御 ,  Neel壁 ,  外部磁場 ,  垂直磁化
準シソーラス用語： 論理ゲート ,  分域壁運動 ,  *磁気スイッチング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  金属の磁区及び磁化過程  (BM06112D)

タイトルに関連する用語 (4件)： 磁場 ,  電流制御 ,  ヒステリシス ,  磁気スイッチング