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J-GLOBAL ID：202202221717666446   整理番号：22A0435886

金属SrVO_3エピタキシャル膜への効率的なスピンポンピング【JST・京大機械翻訳】

Efficient spin pumping into metallic SrVO₃ epitaxial films

著者 (4件)： Macia F. (Department of Condensed Matter Physics, University of Barcelona, Barcelona 08028, Spain) ,  Macia F. (Institute of Nanoscience and Nanotechnology (IN2UB), University of Barcelona, Barcelona 08028, Spain) ,  Mirjolet M. (Institut de Ciencia de Materials de Barcelona (ICMAB-CSIC), Campus UAB, Bellaterra, Catalonia 08193, Spain) ,  Fontcuberta J. (Institut de Ciencia de Materials de Barcelona (ICMAB-CSIC), Campus UAB, Bellaterra, Catalonia 08193, Spain)
資料名： Journal of Magnetism and Magnetic Materials  (Journal of Magnetism and Magnetic Materials)
巻： 546  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0644A  ISSN： 0304-8853  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Vが3d1イオン,エピタキシャル薄膜および強磁性Ni_80Fe_20である金属SrVO_3間の界面を横切るスピンポンピングを報告した。データは,スピン混合コンダクタンス値(g_λ=11.8×1018m-2)を有する効率的なスピンポンピングを示し,これは金属バナジウムで報告されたものと類似しているが,Mott転移を示す等電子(3d1)VO_2で測定した値より著しく大きい。データは,Fermi準位での状態密度と電子-電子相関の相対強度,および界面を横切るスピン混合コンダクタンスを調整するための電子-電子相関と電子-格子結合の相対強度との関連で合理化した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エピタクシー ,  界面 ,  強磁性 ,  薄膜 ,  合理化 ,  バナジウム ,  電子相関 ,  磁気 ,  Fermi準位 ,  Mott転移 ,  状態密度 ,  コンダクタンス
準シソーラス用語： スピン電流 ,  *スピンポンピング ,  *エピタキシャル膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： スピンポンピング ,  磁気減衰 ,  スピン電流 ,  バナジウムペロブスカイト

分類 (3件)： その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  磁性理論  (BM06020X)

タイトルに関連する用語 (2件)： エピタキシャル膜 ,  スピンポンピング