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J-GLOBAL ID:202202221747930933   整理番号:22A1156814

コスト効率の良い噴霧器噴霧熱分解法により堆積したEuドープSnS_2薄膜の光感度特性【JST・京大機械翻訳】

Photosensitivity properties of Eu-doped SnS2 thin films deposited by cost-effective nebulizer spray pyrolysis technique
著者 (6件):
資料名:
巻: 128  号:ページ: 364  発行年: 2022年 
JST資料番号: D0256C  ISSN: 0947-8396  CODEN: APHYCC  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,ネブライザ噴霧法によりガラス基板上に蒸着したSnS_2薄膜の構造,形態,電気伝導率および光電子特性へのユウロピウムドーピングの結果を検討した。X線回折分析は,平面(002)から回折した高度に優先配向した純粋およびEuドープSnS_2薄膜の両方において六方晶構造の存在を証明した。2%EuドープSnS_2薄膜では,支配的なピークの強度が最も高いことを示した。XRDデータから,結晶サイズは2%SnS_2:Euで最も高く,同じ試料は0.97×1015線/m2の転位密度と0.081×10-3/線2m4の微小歪を示した。結晶サイズは,Eu(0~2%)のドーピング濃度の増加とともに,最初に増加し,次に,より高い濃度で減少した。SEMとAFMミクロ画像は,より高いEu濃度における結晶粒の凝集を明らかにした。EDAX研究による組成分析はEu,SnおよびSの存在を支持した。Euドーピングが2から6%に増加すると,SnS_2光学バンドギャップ値は2.70から2.91eVに変化することが分かった。すべてのSnS_2薄膜試料はHall研究から認証されたn型伝導率を示し,5.43×1017cm-3の高いキャリア濃度を有する4.34×10-1cmの低い抵抗率がSnS_2:Eu(2wt%)で観察された。同じ試料は,より高い応答性(41.64×10-3AW-1),適格な外部量子効率(97.24%),およびより良い検出性(40.88×108Jones)を確立した。したがって,2%EuドープSnS_2膜は高速オプトエレクトロニックデバイスの作製に最も適していると認識されている。また,本論文では,空気およびUV照射下での光検出器性能の推定機構を検討した。Copyright The Author(s), under exclusive licence to Springer-Verlag GmbH, DE part of Springer Nature 2022 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (3件):
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JSTが定めた文献の分類名称とコードです
酸化物薄膜  ,  半導体結晶の電気伝導  ,  光物性一般 

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