抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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・筆者らは,パルスレーザアブレーション法によって近接した金ナノ構造体の自己組織化に成功。
・ここでは,パルスレーザアブレーション法によって得られた金ナノ構造体を用いた表面増強ラマン散乱測定結果について報告。
・表面増強ラマン散乱測定結果では,MgO基板上の4-メルカプト安息香酸では1250cm
-1に強いピークと,1000,1500,1750cm
-1にブロードなピークを確認。
・金ナノ構造体上の4-メルカプト安息香酸では,これらのピーク以外に4-メルカプト安息香酸由来の強いピークを1070,1580cm
-1に確認。
・これらのピークは,炭素の二重結合に起因するもの。