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J-GLOBAL ID：202202222262108187   整理番号：22A1186717

太陽電池のためのITOのウエハスケールパルスレーザ蒸着:損傷対界面抵抗の低減【JST・京大機械翻訳】

Wafer-scale pulsed laser deposition of ITO for solar cells: reduced damage vs. interfacial resistance

著者 (10件)： Smirnov Yury (MESA+ Institute for Nanotechnology, University of Twente, Enschede, AE 7500, Netherlands. [e-mail]) ,  Repecaud Pierre-Alexis ,  Tutsch Leonard ,  Florea Ileana ,  Zanoni Kassio P.S. ,  Paliwal Abhyuday ,  Bolink Henk J. ,  i Cabarrocas Pere Roca ,  Bivour Martin ,  Morales-Masis Monica
資料名： Materials Advances  (Materials Advances)
巻： 3  号： 8  ページ： 3469-3478  発行年： 2022年 
JST資料番号： W6469A  ISSN： 2633-5409  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 太陽電池に用いる透明導電性酸化物(TCO)は,十分な横方向伝導率を提供しながら,最小寄生吸収損失を達成するために最適化しなければならない。TCOの堆積中の隣接デバイス層と基板への低い損傷との低い接触抵抗も,高い太陽電池効率を確保するための重要な要件である。パルスレーザー蒸着(PLD)は,有機およびペロブスカイト太陽電池における高感度層および界面上の代替低損傷TCO堆積技術として提案されているが,より成熟したシリコン技術についてはまだ研究されていない。損傷を低減するための重要なパラメータとしてのPLD堆積圧力に焦点を合わせて,著者らは,異なる圧力で60ΩΩ-1のシート抵抗を有するスズドープ酸化インジウム(ITO)を開発し,それをシリコンヘテロ接合(SHJ)太陽電池に実装した。比較のために,同じPLD ITO電極を有するバッファフリー半透明ペロブスカイト電池も作製した。ペロブスカイト電池では,ITO堆積圧は,損傷低減を示す改善された開回路電圧とフィルファクタをもたらすが,全ての条件でPLD ITOを有するSHJ電池は,高い不動態化品質を維持したが,増加した圧力は,高い直列抵抗をもたらした。透過型電子顕微鏡と飛行時間二次イオン質量分析は,輸送障壁を引き起こすSHJセルのITO/a-Si:H界面での寄生SiO_xの形成を確認した。最高のキャリア密度を有する最適化ITO膜は,75nm厚のPLD ITOで>21%のSHJ効率を得ることができた。さらに,ITOの厚さを~45nmに減少させ,光補償のためにTiO_xを用いることは,インジウム消費が低減し,効率>22%のSHJデバイスの作製を可能にする。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,  *界面 ,  最適化 ,  *太陽電池 ,  電圧 ,  *電池 ,  電極 ,  インジウム ,  ケイ素 ,  不動態化 ,  キャリア密度 ,  パラメータ ,  シート抵抗 ,  *パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： 開回路電圧 ,  フィルファクタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： 太陽電池 ,  ITO ,  ウエハ ,  スケール ,  パルスレーザ蒸着 ,  損傷 ,  界面抵抗