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J-GLOBAL ID:202202222374344111   整理番号:22A1112795

GaSeおよびGa_2Se_3単結晶の熱ルミネセンス特性【JST・京大機械翻訳】

Thermoluminescence characteristics of GaSe and Ga2Se3 single crystals
著者 (4件):
資料名:
巻: 246  ページ: Null  発行年: 2022年 
JST資料番号: D0731A  ISSN: 0022-2313  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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GaSeとGa_2Se_3は同じ構成元素から形成される半導体化合物である。これらの化合物は,それらのオプトエレクトロニクスおよび光起電力応用により魅力的である。欠陥は半導体デバイスの品質に影響するので,注目すべき注意を要する。本論文では,Bridgman法により成長させたGaSeおよびGa_2Se_3単結晶における深い欠陥中心を,350~675Kの範囲で行った熱ルミネセンス測定の分析から報告した。GaSeとGa_2Se_3単結晶の実験的TL曲線は,それぞれ1と2重なったピークを示した。適用した曲線フィッティングと初期上昇技法は,GaSe,0.96と1.24eVのGa_2Se_3結晶に対して0.83eVのトラップ活性化エネルギーについて良く一致した。成長した単結晶の結晶構造特性をX線回折測定によって調べた。GaSeとGa_2Se_3結晶のXRDパターンで観察されたピークは,それぞれ六方晶と閃亜鉛鉱型構造と良く整合した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
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半導体のルミネセンス  ,  電気化学一般  ,  無機化合物のルミネセンス 
タイトルに関連する用語 (3件):
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