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J-GLOBAL ID：202202222450132624   整理番号：22A0104714

リップルしたAl_2O_3基板上にスパッタしたNi_80Fe_20膜の調整可能な非Gilbert型減衰【JST・京大機械翻訳】

Tunable non-Gilbert-type damping in Ni₈₀Fe₂₀ films sputtered on the rippled Al₂O₃ substrates

著者 (8件)： Xu Xu (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 611731, China) ,  Zheng Lei (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 611731, China) ,  Jin Lichuan (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 611731, China) ,  Wen Tianlong (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 611731, China) ,  Liao Yulong (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 611731, China) ,  Tang Xiaoli (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 611731, China) ,  Zhang Huaiwu (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 611731, China) ,  Zhong Zhiyong (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 611731, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 893  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： リップルAl_2O_3基板上にスパッタしたNi_80Fe_20(NiFe)膜の強磁性減衰と緩和機構を,これらのリップルAl_2O_3基板を熱アニーリングにより作製した面内角依存性強磁性共鳴(FMR)測定によって調べた。Gilbert減衰機構による固有寄与の線幅と2マグノン散乱(TMS)に関連した外因性寄与の線幅と膜の不均一広がりを,膜の異なる磁気緩和メカニズムのフィルタリングにより同定した。その結果,リップル状Al_2O_3基板上に堆積された膜の強磁性減衰の大きさは,基板のリップル形態を変更することにより操作でき,リップルと外部場の方向の間の角度に強く依存することが分かった。これらの膜に対する非Gilbert型減衰は,全体的な緩和に対する調整可能な異方性の寄与である。2マグノン散乱と不均一広がりは磁化緩和における非Gilbert減衰機構として作用し,それらは全線幅の変化を支配する。本研究は,アニーリングによって形成した異なる表面形態を有するリップルAl_2O_3基板上に堆積された膜における調整可能な磁化緩和を明らかにし,スピントロニクスおよびマグノンデバイスの磁化緩和特性を設計するために,これらのリップル基板の利用に役立つであろう。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 強磁性 ,  強磁性共鳴 ,  散乱 ,  磁化 ,  焼なまし ,  *マグノン ,  フィルタリング ,  磁気緩和 ,  緩和現象 ,  外場 ,  スピントロニクス
準シソーラス用語： 表面形態 ,  線幅 ,  熱アニーリング ,  Gilbertダンピング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 磁性薄膜 ,  強磁性共鳴線幅 ,  磁化緩和 ,  リップルのあるサファイア基板

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (2件)： スパッタ ,  減衰